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Z-半导体敏感元件原理与应用二

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2．光电计数器

表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图

图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级，供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥，其中，V2避光，V1受光，且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下，无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时，D1输出一个负脉冲，D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时，因D1两个输入端等电位同步变化，不致产生误动作。

光敏Z-元件还有更多的场合能够应用，这里不一一例举。

七、磁敏Z-元件及其技术参数

1．磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法

磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意，图9(b)是电路符号，“+”表示正向使用时接电源“+”端，M表示对磁场敏感。

表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数

名称符号

阈值电压分档代号单位

测试条件(T=20°C)

10

20

30

31

阈值电压Vth

10

10-2020-3030

V

RL:5~150kW

阈值磁场Bth

300mT

RL:5~150kW

2

300

阈值电流Ith

1￡2￡33mA

RL:5kW

磁场范围B

1

(1~1.5)BthmT

RL:5~150kW2

频率范围f

1~100kHz

RL:5kW

输出幅值VP.P

3Vth/6V

RL:5~150kW

频率灵敏度SF

20

Hz/mT

RL:5~150kW

电压灵敏度ST

-300

mV/100mT

EVth+RL.Ith

磁敏Z-元件的命名方法有两种：

国内命名法

国际命名法

2．磁敏Z-元件的伏安特性曲线

磁敏Z-元件的伏安特性，应当在无磁场的情况下进行测量，图9(c)是伏安特性测量电路，正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同[6]。

图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区，记为M1，pf段为负阻区，记为M2，fm为低阻区，记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压，表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流，是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压，是M3区电压的最小值。If叫做导通电流，是对应Vf的电流，是低阻区电流最小值。反向特性无磁敏。

3．磁敏Z-元件的分档代号与技术参数

磁敏Z-元件的技术参数列于表3，磁敏Z-元件的分档代号有两个，一个是Vth，共分四档；另一个是阈值磁场，共分两档。磁敏Z-元件的技术参数符合QJ/HN003-1998。

八、磁敏Z-元件的磁敏特性

磁敏Z-元件的正向伏安特性，可用图9(c)所示电路进行测量，与温敏Z-元件正向伏安特性测量电路与方法相同。［6］

磁敏Z-元件在磁场中，其伏安特性曲线形状发生了变化，因而，技术参数也发生了变化。磁场由弱到强的变化过程，技术参数的变化范围如表3所示。

1．阈值磁场：Bth(mT)

磁敏Z-元件置于磁场中，如图10所示。电路中产生了自激振荡，输出信号VO的波形类似于温敏Z-元件的下降沿触发的脉冲频率信号。使Z-元件刚刚起振的磁场，定义为阈值磁场，用Bth表示。

2．磁场范围：B(mT)

磁场范围，表示维持Z-元件正常振荡的磁场，其值为(1~1.5)Bth。

3．频率范围：f(Hz)

Z-元件在磁场中正常的信号频率范围。

4．频率灵敏度：SF(Hz/mT)

磁敏Z-元件在磁场中产生振荡后，频率的变化量Df(Hz)与磁场变化量DB(mT)之比为频率灵敏度SF(Hz/mT)：

(5)

5．电压灵敏度ST(mV/mT)

磁敏Z-元件在磁场中，Vf向右平移增大，磁场越强，Vf增加的越多，见图11。电压灵敏度ST等于导通电压Vf的增量DVf与磁场变化增量DB之比。

(mV/mT)(6)

磁敏Z-元件在实验中，除上述参数用来表述在磁场中变化外，还有一种在磁场中的特性没有相应的参数可以表示。例如，在磁场中，Vf阶跃式的增大，同时Vth也增大，幅度变化为：

Vf：(1~3)Vf，Vth：Vth+(0~1V)，

参见图11。这一特性非常适合制作磁控开关、转速表等。

九、磁敏Z-元件的应用电路

磁敏Z-元件是一个非线性元件［1］，典型应用电路为Z-元件与一个负载电阻RL串联的电路。RL的一个作用是限制工作电流，另一个作用是可以从RL与Z-元件连接点处取出输出信号，如图12(a)所示。Z-元件允许并联一个电容器，输出脉冲频率信号。

1．工作在M3区输出阶跃信号

磁敏Z-元件工作在哪一个区，与电源电压E的大小有关。在温敏Z-元件工作中，由M1区向M3区转换的过程中，电源电压E，负载电阻RL