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士兰微电子SGTP50V65FDB1P4B说明书
50A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
1
SGTP50V65FDB1P4B绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代
场截止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产4
G
品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
特点32
E
50A，650V，V典型值=1.65V@I=50A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
TJmax=175C
TO-247B-4L
命名规则
SGTP50V65FDB1P4B
士兰IGBT系列封装形式,如
工业级P4B:TO-247B-4L
电流规格50A
N:N沟平面栅1,2,3„:版本号
NE:N沟平面栅带ESD
空:标准二极管（Standard）
T:FieldStop3和4
M:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U:FieldStop4+
V:FieldStop5R:快速二极管（Rapid）
W:FieldStop5+B:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
Y:FieldStop5++S:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
A:FieldStop6
D:合封二极管
电压规格，如:R:集成二极管（RCIGBT）
65表示650V空:单IGBT芯片
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