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士兰微电子SGT50T65SDM1P7说明书
50A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截
止（FieldStopIII）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可1
G
应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
特点3
E
50A，650V，V典型值=1.65V@I=50A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
1
23
TO-247-3L
命名规则
SGT50T65SDM1P7
士兰IGBT系列封装形式，如
电流规格，如：P7：TO-247-3L
70表示70A等
1,2,3…：版本号
N：N沟平面栅
NE：N沟平面栅带ESD空：标准二极管（Standard）
T：FieldStop3和4M：标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U：FieldStop4+R：快速二极管（Rapid）
V：FieldStop5B：快速二极管、全电流规格（RapidFull）
W：FieldStop6S：超软二极管、全电流规格（SoftFull）
X：FieldStop7D：合封二极管
电压规格，如：R：集成二极管（RCIGBT）
65表示650V
L：超低速，推荐频率~2KHz
120表示1200V等
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