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士兰微电子SVSP60R033P7HD4说明书

83A,600V超结MOS功率管

描述2

SVSP60R033P7HD4N沟道增强型高压功率MOSFET采用士

兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使

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得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP60R033P7HD4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓

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扑。

1.栅极2.漏极3.源极

特点

83A，600V，RDS(on)(typ.)=28.5m@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

较强的雪崩能力

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较强的dv/dt能力

较高的峰值电流能力TO-247-3L

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合RoHS环保标准

关键特性参数

参数参数值单位

VDS600V

VGS(th)3.0~5.0V

RDS(on),max.33m

ID.pulse249A

Qg.typ.170nC

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP60R033P7HD4TO-247-3LP60R033P7无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0

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士兰微电子SVSP60R033P7HD4说明书

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

J

参数值

参数符号测试条件单位

最小值典型值最大值

漏源电压VDS------600V

栅源电压（静态）VGS