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士兰微电子SVSP65R080P7HD4说明书
43A,650V超结MOS功率管
描述2
SVSP65R080P7HD4N沟道增强型高压功率MOSFET采用士
兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使
1
得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP65R080P7HD4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。3
特点1.栅极2.漏极3.源极
43A，650V，RDS(on)(typ.)=66m@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力12
3
较高的峰值电流能力
TO-247-3L
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS650V
VGS(th)3.0~5.0V
RDS(on),max.80m
ID.pulse160A
Qg.typ.95nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP65R080P7HD4TO-247-3LP65R080P7无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0
http://共10页第1页
士兰微电子SVSP65R080P7HD4说明书
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS------650
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