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士兰微电子SVSP65R135P7(FJD)(L8A)D4说明书
30A,650V超结MOS功率管
描述2
SVSP65R135P7(FJD)(L8A)D4N沟道增强型高压功率
D(2)
G(1)
S(3)
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗S(3)
1S(3)
和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。DFN-4-8x8x0.85-2.0
此外，SVSP65R135P7(FJD)(L8A)D4应用广泛。如，适用于硬/3
软开关拓扑。1.栅极2.漏极3.源极
特点
30A，650V，RDS(on)(typ.)=0.118@VGS=10V
1
23
创新高压技术
TO-220FJD-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力1
2
3
较强的dv/dt能力
TO-247-3L
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS
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