士兰微代理商SVT035R5ND深圳恒锐丰科技.pdf

SVT035R5ND(MJ)(T)说明书

100A、30VN沟道增强型场效应管

描述

SVT035R5ND(MJ)(T)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用

士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

100A，30V，RDS(on)（典型值）4.0m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品命名规则

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装

SVT035R5NDTRTO-252-2L035R5ND无卤编带

SVT035R5NMJTO-251J-3L035R5NMJ无卤料管

SVT035R5NTTO-220-3L035R5NT无铅料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1

共9页第1页

SVT035R5ND(MJ)(T)说明书



极限参数(除非特殊说明，TC25C)

参数范围

参数名称符号单位

SVT035R5ND/MJSVT035R5NT

漏源电压VDS30V

栅源电压VGS±20V

T25°C100

C

漏极电流IDA

T100°C63

C

漏极脉冲电流IDM400A

耗散功率（T25C）83104W

C

PD

0.70.8

-大于25C每摄氏度减少