模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年 .pdfVIP

模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年 .pdf

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第一章测试

1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错

B:对

答案:A

2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:错

B:对

答案:A

3.要实现BJT的放大作用,对发射结与集电结的要求是()。

A:发射结正偏,集电结反偏

B:发射结反偏,集电结正偏

C:发射结正偏,集电结正偏

D:发射结反偏,集电结反偏

答案:A

4.工作在放大区的某晶体三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从

1mA变为2mA,那么它的β约为()。

A:90

B:100

C:83

D:50

答案:B

5.在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V,则这三

个管脚分别是()。

A:C、B、E

B:E、C、B

C:E、B、C

D:C、E、B

答案:C

6.A:8.7

B:4.3

C:5.7

D:73

答案:C

7.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V

时,该管处于()区。

A:击穿

B:截止

C:放大

D:可变电阻

答案:B

8.A:c

B:a

C:b

D:d

答案:AB

9.A:c

B:d

C:b

D:a

答案:AD

10.A:b

B:c

C:d

D:a

答案:AC

第二章测试

1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自

的Q点。

A:错

B:对

答案:B

2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。()

A:对

B:错

答案:B

3.A:12

B:0.5

C:6

D:0.7

答案:A

4.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V

时,该管处于()状态。

A:截止

B:饱和

C:击穿

D:放大

答案:A

5.A:5.7

B:4.24

C:6

D:4.03

答案:D

6.A:=-1200

B:1200

C:=1200

D:1200

答案:D

7.A:10

B:100

C:40

答案:B

8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是()。

A:共集电路

B:共源电路

C:共基电路

D:共漏电路

E:共射电路

答案:ABDE

9.A:

B:

C:

D:

答案:BCD

10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中,()耦合不能放大直流信号。

A:直接

B:阻容

C:变压器

答案:BC

第三章测试

1.当OCL电路的最大输

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