士兰微一级代理商CRSM021N03L6Z深圳阜康科技.pdf

下载文档

0
0
约2.96万字
约 10页
2024-11-28 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

士兰微一级代理商CRSM021N03L6Z深圳阜康科技.pdf

1、本文档共10页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

CRSM021N03L6Z

华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS6N-MOSFET30V,1.7mΩ,80A

FeaturesProductSummary

•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS6technologyVDS30V

•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ1.7mΩ

•ExcellentQxRproduct(FOM)ID80A

gDS(on)

•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria

100%DVDSTested

Applications100%AvalancheTested

•DC/DCConvertersinComputing

•BatterymanagementSystem

CRSM021N03L6Z

PackageMarkingandOrderingInformation

Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty

CRSM021N03L6Z021N03L6ZPDFN5*6TapeN/AN/A4k/5k

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-sourcevoltageVDS30V

Continuousdraincurrent

T=25°C(Siliconlimit)130

IDA

T=25°C(Packagelimit)80

T=100°C(Siliconlimit)81

Pulseddraincurrent(T=25°C,t

您可能关注的文档

文档评论（0）

***** + 关注: 实名认证

内容提供者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

士兰微一级代理商CRSM021N03L6Z深圳阜康科技.pdf