晶圆、半导体器件及其制造方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN111293047A

(43)申请公布日2020.06.16

(21)申请号CN201811393018.7

(22)申请日2018.11.21

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

(72)发明人不公告发明人

(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司

代理人袁礼君

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

晶圆、半导体器件及其制造方法

(57)摘要

本公开提供一种晶圆、半导体器件

及其制造方法，涉及半导体技术领域。该

晶圆包括:衬底；介质层，位于远离衬底的

一侧面上；晶圆允收测试电路，形成于介

质层中，晶圆允收测试电路包括金属互连

层；沟槽，形成于介质层中位于晶圆允收

测试电路侧部，沟槽填充有保护层；其

中，沟槽的深度大于等于晶圆允收测试电

路的深度。当沿着切割道区域对芯片进行

切割时，保护层材料具有弹性,可以缓冲芯

片切割时的应力问题,减轻龟裂的产生，并

且在出现龟裂时，沟槽和填充的保护层材

料可防止龟裂扩大，从而提升芯片的良率

与稳定性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种晶圆,包括晶粒区域和切割道区域,其特征在于,所述切割道区域包括:

衬底;

介质层,位于远离所述衬底的一侧面上;

晶圆允收测试电路,形成于所述介质层中,所述晶圆允收测试电路包括金属互连层;

沟槽,形成于所述介质层中位于所述晶圆允收测试电路侧部,所述沟槽填充有保护层;

其中,所述沟槽的深度大于等于所述晶圆允收测试电路的深度。

2.根据权利要求1所述的晶圆,其特征在于,所述切割道区域还包括测试焊垫,所述测

试焊垫位于介质层上。

3.根据权利要求1所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽包围所述晶圆允收测试电路。

4.根据权利要求1所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽在垂直于切割方向存在有缺口。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆,其特征在于,所述保护层包括聚酰亚

胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽的宽度为1-10

微米,和/或所述沟槽距离所述WAT电路的水平距离为1-10微米。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽的深度大于所

述晶圆允收测试电路的深度超过100nm。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽的纵切面呈矩

形或倒梯形。

9.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽的俯视图呈矩

形、圆形或者椭圆形。

10.根据权利要求9所述的晶圆,其特征在于,所述沟槽的俯视图呈多层矩形、多层圆

形或者多层椭圆形。

11.一种半导体器件,其特征在于,包括根据权利要求1-10中任意一项所述的晶圆。

12.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

在所述衬底上形成包括晶圆允收测试电路的介质层;

在所述包括晶圆允收测试电路的介质层上形成测试焊垫;

在所述介质层中形成位于所述晶圆允收测试电路侧部的沟槽,其中,所述沟槽的深度

大于等于所述晶圆允收测试电路的深度;

在沟槽内沉积保护层;

通过光刻在所述保护层上形成开口以便暴露所述测试焊垫;

其中,所述晶圆允收测试电路和所述沟槽位于切割道区域。

13.根据权利要求12所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述保护层包括聚酰

亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。

14.根据权利要求12或13所述的半导体器件制造方法,其特征在于,所述沟槽的宽度

为1-10微米;和/或所述沟槽距离所述晶圆允收测试电路的水平距离为1-10微米。

15.根据权利要求12或13所述的半