整理版 集成电路 题目 .pdfVIP

一、填空

1、CMOS逻辑电路中NMOS管是增强型，PMOS管是增强型；NMOS管的体端接地，PMOS管的体端接VDD。

2、CMOS逻辑电路的功耗由3部分组成，分别是动态功耗、开关过程中的短路功耗和静态功耗；增大器件的阈值

电压有利于减小短路功耗和静态功耗。

3、饱和负载NMOS反相器的3个主要缺点是：输出高电平有阈值损失、输出低电平不是0，与比例因子Kr相关、

输出低电平时有静态功耗。

4、三态输出电路的3种输出状态是：（高电平），（低电平）和（高阻态）。

2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱三种。在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是PMOS

3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。

4、集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光刻，包括晶圆涂光刻胶、

曝光、显影、烘干四个步骤；其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。

5、阈值电压VT是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS

区间分成耗尽型、增强型两种。降低VT的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox两种。

1．写出传输门电路主要的三种类型和他们的缺点：

（1）NMOS传输门，缺点：不能正确传输高电平；（2）PMOS传输门，缺点：不能正确传输低电平；

（3）CMOS传输门，缺点：电路规模较大。

2、对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的NMOS网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制极为时

钟信号的PMOS,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的NMOS

二、简答题

1.为什么的PMOS尺寸通常比NMOS的尺寸大？

答：1）电子迁移率较大，是空穴迁移率的两倍，即μ=2μ。

NP

2）根据逻辑阈值与晶体管尺寸的关系V∝W/W，在V较大的取值范围中，W〉W。

MPNMPN

2.什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？

答：器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当VgsVth时MOS器件仍然有一个弱的反型层存在，漏源电流Id

并非是无限小，而是与Vgs呈现指数关系，这种效应称作亚阈值效应。影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，

在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。

3.MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

答：短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅

下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受

栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以

达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。

4.请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

V=0

答：对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压BS，此时不存在衬偏效应。而当PMOS

V

中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压BS0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原

来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。