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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101697000A
(43)申请公布日2010.04.21
(21)申请号CN200910235755.9
(22)申请日2009.10.13
(71)申请人中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
地址730000甘肃省兰州市94号信箱研究发展处
(72)发明人冯展祖高欣王云飞杨生胜
(74)专利代理机构北京理工大学专利中心
代理人张利萍
(51)Int.CI
G01R31/00
G01R31/265
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种航天器器件位移损伤剂量探测
方法
(57)摘要
本发明公开了一种航天器器件位移
损伤剂量探测方法,属于核技术中的辐射
探测技术领域。首先使用辐射源对集成有
LED与PD的光电耦合器进行刻度,获得
归一化时光电耦合器的电流传输比倒数的
增量与位移损伤剂量的响应曲线。然后用
地面位移损伤效应测试评估辐射源对光电
耦合器进行辐照,获得光电耦合器电流传
输比倒数的增量。根据具体辐照时光电耦
合器电流传输比倒数的增量,响应曲线中
查找出与之对应的位移损伤剂量值,即可
探测出此时的位移损伤剂量。本发明克服
了通常试验模拟源非理想单能及次级辐射
的影响;相比现有的仅用LED做位移损伤
探测,测试系统简单实用,消除了光学耦
合引入的误差。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种航天器器件位移损伤剂量探测方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一、使用辐射源对光电耦合器进行刻度,获得归一化时光电耦合器的电流传输
比倒数的增量Δ1/nCTR与位移损伤剂量的响应曲线,其中,Δ1/nCTR=
CTR0/CTR-1,CTR为光电耦合器的电流传输比,CTR0为光电耦合器未辐照时的
初始电流传输比;
所述光电耦合器集成有LED与PD;
步骤二、用地面位移损伤效应测试评估辐射源对光电耦合器进行辐照,获得光电耦
合器电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR″;
首先,获取此时光电耦合器的初始电流传输比CTR1;然后,用辐射源对光电耦合
器进行照射,得到辐照后光电耦合器的电流传输比CTR2;之后,将CTR2除以
CTR1,得到归一化后的电流传输比nCTR;最后,用nCTR的倒数减去数值1,即
CTR1/CTR2-1,即得到光电耦合器电流传输比倒数的增量Δ1/nCTR″;
步骤三、根据步骤二得到的具体辐照时光电耦合器电流传输比倒数的增量
Δ1/nCTR″,在经步骤一得到的响应曲线中查找出与之对应的位移损伤剂量值,即
可探测出此时的位移损伤剂量;
步骤四、当对待检测器件进行抗位移损伤效应能力测试评估时,用步骤三得到的位
移损伤剂量除以辐射源对光电耦合器进行照射的辐照时间,得到光电耦合器所处的
辐照点的剂量率;然后把待检测器件放到该辐照点进行辐照,辐照时间等于该待检
测器件的评估剂量除以辐照点的剂量率;此时,就可对经过辐照的待检测器件进行
性能检测,看其是否达到在此位移损伤评估剂量下的性能要求。
说明书
技术领域
本发明涉及一种航天器器件位移损伤剂量探测方法,属于核技术中的辐射探测技术
领域。
背景技术
航天飞行器中的各种电子器件和光电器件容易受到宇宙空间辐射环境的影响,因此
在航天器设计之初选择器件时必须考虑辐射效应对其的影响,以保证各种元器件在
空间辐射环境中能够正常完成预定的功能。这些电子器件和光电器件处于空间辐射
环境下,会产生位移损伤效应,造成器件性能下降。因此,在其投入实际使用之前,
必须对其抗位移损伤效应能力进行测试评估。
由于宇宙空间辐射环境是由不同能量、多种成分粒子组成的复合环境,在地面上完
全模拟重现是不可能或者不经济
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