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电路与电子技术习题库2

半导体二极管、晶体管和场效应管

一、填空题

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素

组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子

为空穴，定域的杂质离子带正电。

2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有

发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向

偏置时，内、外电场方向相同。

4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、

反向截止区和反向击穿区四个工作区。

5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的

R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的

电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳

极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转

都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表

指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。

6、双极型三极管简称晶体管，属于电流控制型器件，单

极型三极管称为MOS管，属于电压控制型器件。MOS管只有

多数载流子构成导通电流。

7、场效应管是利用外加电压产生的电场来控制漏极电流

的大小的。

二、判断正误

1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体

带负电.。（×）2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流

子同时参与导电。（×）3、用万用表测试晶体管好坏和极性

时，应选择欧姆档R×10K档位。（×）4、PN结正向偏置时，

其内电场和外电场的方向相同。（×）5、无论在任何情况下，

三极管都具有电流放大能力。（×）6、只要在二极管两端加

正向电压，二极管就一定会导通。（×）7、二极管只要工作

在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（×）8、三

极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必定被击

穿。（×）9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和

源极就不能互换使用。（√）10、双极型三极管的集电极和

发射极类型相同，因此可以互换使用。（×）

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三、选择题

1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；

B、稳压管；

C、场效应管；D、双极型三极管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构

成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3.N型半

导体是在本征半导体中加入微量的（C）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极

管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；

B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，

说明该二极管（A）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法

判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（C）而成。

A、多子漂移；B、少子漂移；C、多子扩散；D、少子扩

散。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，

VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（C）。

A、截止区；A、为零；

B、饱和区；B、较小；

C、放大区；C、较大；

D、反向击穿区。D、无法判断。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（A）。8、正弦电流经

过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为

正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM；B、集―射极间反向击穿电

压UBRCEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的

电流放大倍数?。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足

的外部条件是（C）