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n型薄膜晶体管(TFT)的研究进展

孙源爽1杨卿煜2李治玥2

(1.山东海化股份有限公司热力电力公司,山东,潍坊,262737;2.香港大学,物理系,香港,999077)

摘要:文章详细地介绍了以IGZO TFT为主要代表的显示材料以及n型TFT的工作原理、研究进展及

在其制备的过程中可能受到的限制和影响、在许多技术和领域方面的实际应用。IGZO TFT的原理和性能

特点相比于其他的新型半导体材料和薄膜晶体管具有很大的技术优势,这也就使得它在大尺寸柔性液晶

显示及大尺寸超高清液晶显示等电子信息领域的应用上具有巨大的潜在价值。

关键词:薄膜晶体管;n型;IGZO

中图分类号:TB34文献标识码:A

DOI:10.19881/j.cnki.1006-3676.2020.12.11

Research status of n-type thin film transistor (TFT)  

122

SunYuanshuangYangQingyuLiZhiyue

(1.Shandong Haihua Co. Ltd.,Shandong,Weifang,262737;2.Department of Physics, the 

University of Hong Kong, Hong Kong,999077)

Abstract:Thisarticleintroducessomeprinciplesandresearchprogressofn-type

TFTrepresentedbyIGZOTFT,theimpactontheminthepreparationprocess,andits

applicationinmanyfields.Comparedwithothersemiconductorandthecorrespondingthin

filmtransistors,theperformanceofIGZOTFThasgreatadvantages,theadvantagesmake

ithavegreatpotentialapplicationvalueinthetechnicalfieldsofflexibledisplayand

large-sizeultra-high-definitiondisplay. 

Keywords:Thinfilmtransistor;n-type;IGZO

薄膜晶体管(TFT)集成元件是一种用于由有源发晶硅TFT的迁移率太小,低温多晶硅的迁移率很高,但

光矩阵液晶显示器(LCD)和有机无源发光矩阵二极管是亮度均匀性和灰度精度有些不合适,无法再满足市场

(AMOLED)组成的显示液晶面板的一个重要关键集成元需求。为了更好地追求具备高速和低功率特性的场效应

件,主要广泛用于设计和制造发光矩阵显示面板和驱动晶体管,各国的科学家和电子显示器件产业已经开始研

集成电路[1]。目前,传统的TFT和TFT集成元件包括非究和关注两种新型的半导体TFT:新型氧化物半导体TFT

晶硅和多晶硅薄膜晶体管。但是,随着电子商业的发展和新型有机半导体TFT显示器件。其中,氧化物半导体

和市场对高分辨率(4000×2000像素),高帧频(240Hz)TFT器件包括氧化锌(ZnO)TFT,铟锌氧化物(IZO)TFT,

和大屏幕尺寸(70英寸)的需求的增加,传统TFT中非铟镓锌氧化物(IGZO)TFT等。IGZOTFT的性能尤为出色:

作者简介:孙源爽,女,1985年生,高级工程师,研究方向:信息控制与信息处理。李治玥(通

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