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电力电子课后答案第二章

2.2使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通

变为关断？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK0且UGK0；

维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3，和它们的波形系数Kf1，Kf2，Kf3。

题图2.1晶闸管导电波形

解：a)Id1=Imsin≈0.27Im

Kf1=I1/Id1=0.48Im/0.27Im=1.78

Kf2=I2/Id2=0.67Im/0.54Im=1.24

Kf3=I3/Id3=0.5Im/0.25Im=2

2.4.如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A，考虑晶闸管的安全裕量为1.5，问其允许通

过的平均电流和应的电流最大值各为多少?解：由上题计算结果知：

（额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A）

a)

b)

c)

Im1=Id1/Kf=58.8/0.27=217.78(A)

Im2=Id2/Kf2=84.4/0.54=156.30(A)

Im3=Id2/Kf3=52.3/0.25=209.2(A)

2.5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能?

答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益α1和α2，由普通晶阐管的分析可得，α1+α2=1是器件临界导通

的条件。α1+α2＞1Ⅰ两个等效晶体管过饱和而导通；α1+α2＜1不能维持饱和导通而关断。

GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：

l)GTO在设计时α2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断;

2)GTO导通时α1+α2的更接近于l，普通晶闸管α1+α2≥1.5，而GTO则为α1+α2≈1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件;

3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

2.11使用PowerMOSFET应该注意什么问题？.如何防止其因静电感应应起的损坏?

答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压Ⅰ所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：

Ⅰ一般在不用时将其三个电极短接;

Ⅰ装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地;

Ⅰ电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高Ⅰ漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

2.12试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

解：对ⅠGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：

器件

优点

缺点

IGBT

开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小

开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO

GTR

耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低

开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题

GTO

电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强

电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂.开关频率低

电力MOSFET

开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题