一种纳米材料及制备方法与量子点发光二极管.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110534656A

(43)申请公布日2019.12.03

(21)申请号CN201810518684.2

(22)申请日2018.05.25

(71)申请人TCL集团股份有限公司

地址516006广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

(72)发明人何斯纳吴龙佳吴劲衡

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人王永文

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种纳米材料及制备方法与量子点

发光二极管

(57)摘要

本发明公开一种纳米材料及制备方

法与量子点发光二极管，所述纳米材料包

括：MoO

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2021-03-23授权授权

2019-12-27实质审查的生效实质审查的生效

2019-12-03公开公开

2021-03-09著录事项变更著录事项变更

权利要求说明书

1.一种纳米材料,其特征在于,所述纳米材料包括:MoO

3

纳米颗粒和MoS

2

纳米片,所述MoS

2

纳米片结合在所述MoO

3

纳米颗粒表面。

2.根据权利要求1所述的纳米材料,其特征在于,多个所述MoS

2

纳米片结合在所述MoO

3

纳米颗粒表面,在所述MoO

3

纳米颗粒表面形成MoS

2

纳米片壳。

3.根据权利要求2所述的纳米材料,其特征在于,多个所述MoS

2

纳米片生长结合在所述MoO

3

纳米颗粒表面,在所述MoO

3

纳米颗粒表面形成MoS

2

纳米片壳。

4.根据权利要求1至3任一项所述的纳米材料,其特征在于,所述纳米材料的粒径为

10-15nm;和/或所述MoO

3

纳米颗粒的粒径为5-10nm;和/或所述MoS

2

纳米片的厚度为2-4nm。

5.一种纳米材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:

提供MoO

3

纳米颗粒;

将所述MoO

3

纳米颗粒与硫源混合,进行水热反应在MoO

3

纳米颗粒表面生长MoS

2

纳米片,得到所述纳米材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述硫源选自硫脲、多硫化钠、硫

代乙酰胺和硫化胺中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,按钼元素与硫元素的摩尔比为1:(1-

1.5),将所述MoO

3

纳米颗粒与所述硫源进行混合。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述进行水热反应在MoO

3

纳米颗粒表面生长MoS

2

纳米片的温度为150-220

o

C。

9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述进行水热反应在MoO

3

纳米颗粒表面生长MoS

2

纳米片的时间为18-30h。

10.一种量子点发光二极管,所述量子点发光二极管包括空穴传输层,其特征在于,所述

空穴传输层的材料包括权利要求1-4任一项所述纳米材料。

说明书

p技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域,尤其涉及一种纳米材料及制备方法与量子点发光

二极管。

背景技术

在目前的量子点发光二极管中,ITO通常用来作为透明电极。而PEDOT:PSS通常用

来修饰ITO表面被作为阳极缓冲层。但是由于PEDOT:PSS