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石墨烯晶体管研究进展

李昕;郭士西;宋辉;李全福;师俊杰;方明;王小力;刘卫华

【摘要】针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效

应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、

射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现

状.分析认为:石墨烯平行纳米带阵列结构和异质结结构有望打开石墨烯禁带以实现

大的电流开关比,将是石墨烯数字晶体管的研究热点;通过降低接触电阻、接入电阻

以及衬底、栅介质的匹配来提高截止频率和最大振荡频率将是石墨烯射频晶体管的

主要发展趋势;基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底和离子凝胶栅介质的柔性制造

技术,最有希望在保证石墨烯高迁移率的基础之上实现全石墨烯透明柔性电路,使石

墨烯晶体管得以实用,必将对集成电路行业产生巨大影响.

【期刊名称】《西安交通大学学报》

【年(卷),期】2014(048)010

【总页数】9页(P1-8,48)

【关键词】石墨烯晶体管;禁带;截止频率;最大振荡频率;柔性晶体管

【作者】李昕;郭士西;宋辉;李全福;师俊杰;方明;王小力;刘卫华

【作者单位】西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;西安交通大学电子

与信息工程学院,710049,西安;西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;西

安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;西安交通大学电子与信息工程学

院,710049,西安;西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;西安交通大学电

子与信息工程学院,710049,西安;西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安

【正文语种】中文

【中图分类】TN304.9

随着后摩尔时代的到来,集成电路制造技术不断改进,极紫外(EUV)光刻的引入,将特

征尺寸大幅度减小,下一代硅基集成电路的特征尺寸将达到15nm,甚至10nm以

下[1]。但是,随之而来的短沟道效应和介质隧穿效应等的影响,以及制造难度的提升,

将很难得到特征尺寸小于10nm的性能稳定的电路产品[1]。所以急需研究开发基

于新材料、新结构和新工艺的器件。

英国科学家GEIM等人制备出了仅一个原子厚几纳米宽的石墨烯量子点器件[2],在

这种尺度下,石墨烯存在约0.5eV的禁带宽度,且器件仍然能保持较好的导电性。

GEIM预测石墨烯量子点器件的特征尺寸最小可降低到1nm[2]。此后对新型石墨

烯晶体管的研究引起科学界越来越广泛的关注,并被认为是后摩尔时代电子学的最

佳候选者[3-4]。

本文将主要从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析石

墨烯新型晶体管的发展现状。从如何打开石墨烯禁带以实现大的电流开关比和实现

逻辑互补的角度分析其在数字晶体管中主要面临的挑战和机遇;从如何提高截止频

率fT和最大振荡频率fMAX的角度来阐述其在射频晶体管中需要解决的主要难题

和发展方向;从如何匹配柔性衬底和柔性栅介质的角度论述石墨烯柔性透明晶体管

的优势。

电子穿过石墨烯几乎没有任何阻力,所产生的热量也非常少。石墨烯具有很高的载

流子迁移率和热导率[4],有望在数字逻辑晶体管方面成为硅的替代材料。但是,大面

积的石墨烯是一种零禁带材料,以此作为沟道的晶体管很难被关断,电流开关比也很

小。此外,为了实现理论上的零静态功耗,需要实现由下拉的n型石墨烯晶体管和上

拉的p型石墨烯晶体管构成的石墨烯互补数字逻辑。然而,由于石墨烯的性质非常

稳定,对其进行n型、p型掺杂是很困难的,因此对石墨烯数字晶体管方面的研究主

要集中在2个方面:一是如何产生禁带以实现高的开关比;二是如何对石墨烯掺杂以

构造互补逻辑。

1.1石墨烯产生禁带的研究

1.1.1直接产生禁带法直接产生禁带的方法主要包括构造石墨烯纳米带结构[5]和

构造石墨烯纳米带网状结构[6]等。

(1)构造石墨烯纳米带结构。当石墨烯纳米带的宽度小于10nm时,呈现出半导体

特性[5],利用石墨烯纳米带构造的场效应晶体管的电流开关比最高可接近107,并且

产生的禁带宽度Eg和石墨烯纳米带宽度d呈现一种反比的关系,它们之间的经验

公式为Eg≈0.8/d。石墨烯纳米带禁带的产生是由于量子限域效应和边界效应的原

因[7],当材料尺寸达到纳米量级时,费米能级附近的电子态由接近连续的能带分裂成

分离能级,从而产生非零禁带。

(2)构造石墨烯纳米带网状结构。石墨烯纳米带网状结构