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SOILIGBT的研究现状与趋势简述1

张海鹏，吕伟锋，徐丽燕，林弥

(杭州电子科技大学电子信息学院，杭州，中国，310018)

Email:islotus@163.com

摘要：从IGBT市场需求和产业需求出发，在对SOILIGBT研究发展历程比较深入广泛的

调查研究基础上，简述了在SOILIGBT方面的国内外研究现状，并归纳总结了国内外学者

在SOILIGBT领域的研究发展趋势。此外，简要介绍了本课题组在该领域开展的研究工作

与成果。最后，概述了开展该领域研究的目的和意义。

关键词：SOILIGBT；研究现状；发展趋势；性能；专利

1.引言

1980年以来,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的高频、大容量场控器件迅速商用化和

广泛应用，展现了电力电子学在节能环保领域的发展前景。高频功率半导体器件及其集成电

路(PIC)已占国际功率半导体产业总产值的75%左右，仅其中的PIC一项就占约45%的份额。

这是因为，它们能在更高的频率下工作，从而更节能、节材。尤其是单片功率系统(PSOC)，

它能把传感器、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具

有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流、抗静电等情况自我保护的能力。国

际专家因此把它的发展喻为第二次电子学革命。[1]

目前，我国已经掌握了部分IGBT器件的核心设计和制造技术，形成了一定生产能力。

但是由于IGBT制造工艺水平和材料制造水平还与国外有很大差距，器件性能不够理想[2]

，以

至于国内市场绝大部分仍依靠进口，严重制约我国相关技术、经济和社会发展。

然而，近年国家和地方对IC制造业的大力支持，已经使我国IC制造水平达到0.18-0.9µm，

接近国际先进水平。我省目前已有杭州士兰集成、绍兴华越微电子、宁波中纬积体等多家IC

制造企业，IC制造水平已经达到0.8µm，并且正在研发和升级0.5µm与0.35µm技术；也已有

多家企业如杭州士兰集成、杭州立昂电子、绍兴华越微电子、缙云硅都电力等在从事功率半

导体芯片研发与制造，以实现相应产品的进口替代和打破国外产品与技术限制。上海新傲科

技于2002年7月开始生产4-6英寸注氧隔离SOI圆片，经中美两国技术检测，性能指标达到

国际先进水平，现已开始批量投放市场。[3]

2.国外研究现状和发展趋势

国外自20世纪90年代初开始SOILIGBT的研究，迄今研制出的SOILIGBT的主要性能参

数水平分别为：击穿电压BV≥720V；通态压降V=6V@100A/cm2；关段时间t≤140ns；

DSonoff

I2I2[4,5]

闩锁电流1000A/cm@125℃；最大通态电流≥200A/cm@25℃。在器件结构研究

luon

[6][4]

方面，国外学者先后提出过SESD矩形与柱状结构、线性缓变掺杂漂移区结构、双栅短路

[7][8][9]

阳极结构、独立短路阳极结构、具有分段阴/阳极和3DRESURF结的对称短路阳极结构

[10]

及漏-阳极沟槽介质隔离结构等。

迄今为止，美国有6项相关专利，是关于相关器件结构与工艺实现方法的专利，详见表1。

[2.8]

其中只有第4、第5项是直接关于SOILIGBT器件基本结