硅基应变材料生长动力学与缺陷控制研究 .pdfVIP

硅基应变材料生长动力学与缺陷控制研究

硅基应变材料及其技术具有迁移率增强高、能带可裁减、与标准Si工艺完

全兼容等高性能、低成本特性，在高速、高频、低压、低功耗等领域被广泛应用，

已成为21世纪延续摩尔定律的关键技术。硅基应变技术应用的基础是高质量硅

基应变材料的制备，而材料生长的机理、生长动力学以及生长工艺对硅基应变材

料的制备有至关重要的影响。

采用FLUENT数值分析软件，论文对RPCVD（减压化学气相淀积）工艺生长

硅基应变与弛豫材料的反应室温度、密度、速度、压强等分布进行CFD（计算流

体动力学）仿真研究。首次采用正交法，对FLUENT模拟进行了正交优化与误差

分析，得到了RPCVD生长硅基应变与弛豫材料的优化工艺参数。

基于生长表面结构的二聚体理论与实验结果，论文提出了硅基应变与弛豫材

料的分速度机制。基于SiGe（锗硅）材料的合金生长特性，论文提出了Si源和

Ge源前驱体的分立流密度机制。

基于气体的碰撞理论，论文研究建立了CVD（化学气相淀积）生长硅基应变

材料的表面反应生长速率模型。基于分立流密度模型、分速度模型和Grove理论，

论文分别建立了硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型及其优化模型，并进

行了实验验证，模型误差明显小于表面反应生长模型。

论文系统地研究了硅基应变与弛豫材料中的缺陷机理与行为，并根据低温

Si、渐变组分SiGe及离子注入的工艺原理与特性，设计了三种控制应变Si材料

穿透位错密度TDD的材料结构及工艺，材料表征结果表明：所设计的应变Si结

构材料的TDD低于其他常规结构材料。采用RPCVD工艺及FLUENT的工艺模拟优

化结果，论文进行了硅基应变与弛豫材料的生长实验研究，并采用AFM、DIC、

Raman、TEM等技术，对材料的表面粗糙度、表面位错密度、应力与应变、Ge组

分、位错行为等材料性能与特性进行了全面系统地表征。

基于弹性力学理论和SOI（绝缘层上硅）材料的力学特性，论文提出了一种

制作晶圆级单轴应变SOI的新方法，并阐述了新方法的工艺原理。进行了单轴应

变SOI晶圆的制备，获得了应变量高于现有相似技术的单轴张应变SOI晶圆。

基于薛定谔方程和k.p微扰法，论文还建立了适用于(001)、(101)和(111)

面任意晶向的应变Ge/Si1-xGex价带色散关系模型，得到了相应的价带结构、空

穴各向异性与各向同性有效质量等研究成果。