电子束曝光技术专题培训课件.pptVIP

电子束曝光技术;摘要;第一节：纳米加工技术概述;纳米加工技术;纳米加工技术;在过去的十几年中，半导体微电子产业将微纳加工技术推进到了亚微米阶段。目前已经推进到纳米阶段。在此期间，与半导体微电子产业相关的微纳加工技术得到飞速发展。

在这些相关技术中，图形曝光技术是微电子制造技术发展的主要驱动者。曝光图形分辨率和套刻精度的不断提高，促成了器件集成度的提高和成本的下降。

在半导体器件的制造中，首先需要在晶片上形成所需要的图形，这些图形就是通过曝光工艺来完成的。图形最小的特征尺寸决定了半导体器件的性能和生产成本。因此，曝光工艺成为半导体器件制造的关键技术。;微纳光刻技术;传统光学曝光技术;前烘;X射线曝光技术;X射线光刻机

（Stepper）;极紫外曝光技术（EUV）;极紫外曝光技术（EUV）;离子束曝光技术;电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术，它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代高新技术于一体，是推动微电子和微细加工技术进一步发展的关键技术之一。

先进的电子束曝光机主要适用于0.5微米以下的超微细加工，可以实现数十纳米线条的曝光。

电子束曝光技术广泛地应用于制造新型微纳结构器件、高精度光刻掩模版、以及纳米压印的印模等。;电子束曝光的定义;Date;Date;JEOL和Leica电子束曝光系统对比;电子束曝光系统分类;电子束曝光系统的重要关注指标;;第二节：电子束抗蚀剂;电子束抗蚀剂;正抗蚀剂;正抗蚀剂;负抗蚀剂;负抗蚀剂;化学放大抗蚀剂;对电子束敏感的聚合物;抗蚀剂的分辨率;高分辨率、高对比度、低灵敏度。

灵敏度随着相对分子质量减小而增加。

灵敏度随着显影液MIBK:IPA中MIBK的比例增加而增加。

可以用深紫外或者X射线曝光

抗刻蚀性能差！;ZEP520A;HSQ（HydrogenSisequioxane);抗蚀剂曝光图形对比;影响抗蚀剂图形质量的重要参数;1、抗蚀剂厚度的控制;电子束抗蚀剂的旋涂和烘烤;电子束抗蚀剂自动旋涂机;轉軸;轉軸;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗??剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;电子束抗蚀剂自动旋涂;光学式边缘球状物移除—边缘曝光;烘烤系统;C;电子束扫描方式与曝光;电子束电压与图形剂量关系（曝光PMMA950K正胶）

EHT10kV 20kV 30kV

Area 100μC/cm2 200μC/cm2 300μC/cm2

Line 300pC/cm 600pC/cm 900pC/cm

Dot 0.1fC 0.2fC 0.3fC

工艺方法

显影液MIBK:IPA=1:3,显影时间10s-30s

定影液IPA,定影时间10s-30s;SUSS全自动显影机;显影;显影;显影;超纯水清洗;旋干;准备好到下一步骤;2、电子束曝光剂量的影响;Increaseofdosewith

voltageforallresists;前向电子散射;背向电子散射;电子能量与散射范围的关系;是哪种电子导致曝光呢?;邻近效应(ProximityEffect);克服外邻近效应的图形补偿;PMMA作为负胶使用的工艺;(D.F.KyserandN.S.Viswanathan,MonteCarlosimulationofspatiallydistributedbeamsin

electron-beamlithography,J.Vac.Sci.Technol.12(6),1305-1308(1975));Y.Lee,W.Lee,andK.Chun1998/9,Anew3Dsimulatorforlowenergy(~1keV)Electron-BeamSystems;3、灵敏度和对比度;Resistcontrast=Slopeinresist;高对比度;影响对比度的因素;电子束扩展和注入深度;图形坍塌;曝光线条的粗糙度;曝光线条粗糙的成因;(MarkA.McCord,IntroductiontoElectron-BeamLithography,ShortCourseNotesMicrolithography

1999,SPIEsInternationalSymposiumonMicrolithography14-19March,1999;p.63);二次电子的散射范围(~5-10nm