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维普资讯
２００６年第８期
氧化钪稳定的电解质可使ＳＯＦＣ的功率提高一倍
美国宾夕法尼亚州ＳＥＳＬＥｌｅｃｔｒｏ．Ｓｃｉｅｎｃｅ公司报道称，氧化钪稳定的氧化锆（ＳｃＳＺ）可
使固体氧化物燃料电池（ＳＯＦＣ）的功率密度提高一倍。ＥＳＬ宣称可以大批供应带状和烧结
片的ＳｃＳＺ。
基于氧化物离子传导电解质的高温固体氧化物燃料电池为高效电化学发电提供了一种
清洁、低污染的技术。固体氧化物燃料电池比传统能量转换系统有更多的优点，如效率高、
安全可靠、模块化、燃料可用以及ＳＯｘ和ＮＯｘ排放量低。
新型ＳｃＳＺ陶瓷是将氧化钪添加到氧化锆中以优化晶体结构制得的。首先将带状原料铸
造成易弯曲的薄片，然后在高温下烧结。新型ＳｃＳＺ具有改良的离子传导率和机械强度，但
它的热传导系数与氧化钇稳定的氧化锆（ＹＳＺ）相同。ＳｃＳＺ有助于提高设备的动力特性，
而且可以减小尺寸，降低成本。
（王凤娥摘译）
用于直接甲醇燃料电池（ＤＭＦＣ）的碳氢
电解质膜通过５０００ｈ检测
据美国ＰｏｌｙＦｕｅｌ公司称，其开发的碳氢ＤＭＦＣ电解质膜已通过了５０００ｈ的耐久性检测
试验。工业观察家认为商业可行的便携式燃料电池必须具有２０００￣３０００ｈ的使用寿命，
ＰｏｌｙＦｕｅｌ公司为燃料电池制造商功能上消除了一个市场障碍。
除了支持产生电流的化学反应外，燃料电池电解质膜还将燃料和空气分隔开。燃料电池
的失效模式和寿命条件主要围绕电解质膜及其固有的耐久性进行考虑。在燃料电池的整个工
作寿命期间，电解质膜必须保持其化学和力学的纳米构造，即允许其工作的显微特性。
ＰｏｌｙＦｕｅｌ公司的耐久性检测包括对一批实验燃料电池进行连续的、重复的、实际的开关
动力循环。试验结果表明在５０００ｈ循环后电解质膜的电化学性能没有发生重大的变化。
（王凤娥摘译）
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半导体硅材料的技术进步
７０年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于ＧａＡｓ材料的研究。
但是ＧａＡｓ作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决
的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高
速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅
的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构
成为研究热点。
例如，对使用＜１１０＞面的器件，研究人员在作为ＭＯＳ通道的Ｓｉ层引入弹性变形，开发出
可提高电子和空穴迁移率的应变硅技术。在整个硅片表面的Ｓｉ层引入应变称为“整体应变”，
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