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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN109326729A
(43)申请公布日2019.02.12
(21)申请号CN201710646955.8
(22)申请日2017.08.01
(71)申请人TCL集团股份有限公司
地址516006广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
(72)发明人梁柱荣曹蔚然刘佳
(74)专利代理机构深圳中一专利商标事务所
代理人官建红
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种QLED器件及其制备方法
(57)摘要
本发明属于显示器件领域，提供了
QLED器件及其制备方法。本发明提供的
QLED器件，其发光层引入了表面带官能
团的碳材料层和孔隙填充有量子点的多孔
硅膜层，一方面，量子点填充在多孔硅膜
层的孔隙中，量子点的排布紧密程度及厚
度能够通过改变多孔硅膜层的空隙率、空
隙大小及膜厚等进行轻松地调控，从而提
高器件的发光均匀性和稳定性；另一方
面，表面带官能团的碳材料层的引入不仅
能作为量子点排序的平台，而且其优异的
导电性能可以提高载流子的传输和注入，
从而提高器件的发光效率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
发明专利申请公布后的
2021-05-28发明专利申请公布后的驳回
驳回
2019-08-23实质审查的生效实质审查的生效
2019-02-12公开公开
权利要求说明书
1.一种QLED器件,所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、
第二功能层以及顶电极,其特征在于,所述发光层包括
设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层;
设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层,所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。
2.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述孔隙的直径为4nm-200nm。
3.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述多孔硅膜层的膜层厚度为5nm-
200nm。
4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述多孔硅膜层由硅烷偶
联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂制成。
5.如权利要求4所述的QLED器件,其特征在于,所述多孔硅膜层由硅烷偶联剂、嵌
段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂的质量比为1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-
50):(0.5-100)。
6.如权利要求4所述的QLED器件,其特征在于,所述嵌段共聚物所含的嵌段包括聚
乙二醇、聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚乙烯吡喏烷酮、长链
全氟烷基、聚硅氧烷基、聚乳酸、乳酸-羟基乙酸共聚物、聚ε-己内酯、聚苄基天
门冬氨酸、聚苄基谷氨酸、聚苯乙烯、聚异丙基丙烯酰胺中的至少一种。
7.如权利要求4所述的QLED器件,其特征在于,所述有机溶剂包括饱和烃、不饱和
烃、芳香烃、醇、酮、醚、酯、以及它们的衍生物中的至少一种。
8.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述碳材料层的材料包括
石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管、介孔碳、碳纤维、碳纳米颗粒、富勒烯、碳量子
点、石墨、碳气凝胶中的至少一种。
9.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件,其特征在于,所述官能团包括碳碳双键、
碳碳叁键、卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、
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