SiC单晶膜的制造方法及装置 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102197168A

(43)申请公布日2011.09.21

(21)申请号CN200980143257.X

(22)申请日2009.08.28

(71)申请人住友金属工业株式会社;三菱电机株式会社

地址日本大阪府

(72)发明人楠一彦龟井一人矢代将齐服部亮

(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人刘新宇

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

SiC单晶膜的制造方法及装置

(57)摘要

一种SiC单晶膜的制造方法，该方

法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的

LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直

径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法

包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前

一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生

长温度下的真空度达到5×10

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种SiC单晶膜的制造方法，其特征在于，该方法在晶体生长炉内使SiC单晶在

下述基板上外延生长，所述晶体生长炉包括：坩埚，其用于容纳以选自Si金属和

Si-M合金中的材料的熔体为溶剂的SiC溶液，其中M为除Si以外的一种以上金属；

晶体保持件，其保持SiC单晶基板且可升降；主室，其能容纳所述坩埚和所述晶体

保持件，能进行内部的真空排气和气氛调节；以及加热装置，其用于加热所述主室

内的至少配置所述坩埚的区域，

该方法包括下述工序：

排气工序，在不存在所述熔体的材料的状态下，一边对所述主室内进行排气，一·

边将所述主室内的至少配置所述坩埚的区域加热至SiC晶体生长温度以上的温度，

使SiC晶体生长温度下的所述主室内的真空度为5×10sup-3/supPa以下；

SiC·溶液形成工序，将内部容纳有所述熔体的材料的所述坩埚配置在所述主室内

的规定位置，将该坩埚加热至所述熔体的材料的熔点以上来使所述熔体的材料熔解，

并且使碳溶解在该熔体中，从而在所述坩埚内形成SiC溶液；以及

·晶体生长工序，使用所述晶体保持件来将所述SiC单晶基板浸渍在所述SiC溶液

中，使所述SiC溶液中的至少所述基板的附近通过过冷而处于过饱和状态，使SiC

单晶在所述基板上外延生长；

并且在从所述排气工序到所述晶体生长工序为止的期间不使主室的内部暴露于大气。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶体生长工序中，通过在SiC单晶的

外延生长开始之前引入由至少一种稀有气体构成的、杂质Nsub2/sub浓度为

100ppb以下的气体来使所述主室内的气氛形成压力被调整为6kPa～1MPa的惰性

气体气氛。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，一边通过配置在所述主室内的吸气材料

来捕获含有Nsub2/sub的杂质气体成分，一边进行所述SiC溶液形成工序。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的方法，其中，所述晶体生长炉在所述主室内

设有绝热材料，该绝热材料是以包围配置在主室内的规定位置的坩埚的方式设置的。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的方法，其中，所述SiC单晶基板由具有4H-

SiC晶体结构的SiC单晶构成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述SiC单晶基板具有{0001}面的表面，不

可避免存在的微倾斜角度为1°以下。

7.一种SiC半导体器件，其特征在于，其是使用在SiC单晶基板上设有用权利要求

1～6的任一项所述的制造方法得到的SiC单晶膜的、带有外延膜的SiC单晶晶片

来制作的。

8.一种SiC单晶膜制造装置，其特征在于，该装置包括能使SiC单晶在SiC单晶基

板上外延生长来制造SiC单晶膜的晶体生长炉，所述晶体生长炉包括下述