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摘要：
高性能计算、人工智能和5G移动通信等高性能需求的出现驱使
封装技术向更高密度集成、更高速、低延时和更低能耗方向发展。简
要地介绍了半导体封测企业、晶圆代工厂和IDM在高性能封装领域
的发展现状，分析了国内企业在此领域的布局和发展状况，并结合国
家政策和国际环境变化，展望了未来国内封测企业在该领域的发展方
向。
0引言
1965年4月，Intel创始人之一戈登·摩尔（Gordon
Moore）在《电子学》杂志上刊载《让集成电路填满更多的组
件》，文章中预言：当价格不变时，半导体芯片上集成的元器件数目
（如晶体管和电阻数量）约每隔18～24个月增加1倍，性能提
升1倍。这个著名的摩尔定律，在过去的几十年间一直推动着半导
体技术的发展。为满足该定律的要求，晶圆代工厂不断地缩小晶体管
栅极特征尺寸。直到20世纪90年代，该理论开始遇到经济学和物
理学上的双重阻碍。相比于技术节点90nm，3nm的投资成本增加
了35～40倍，仅英特尔（Intel）、三星（Samsung）和台积电
（TSMC）3家企业有能力跟随，可以继续在该赛道上竞争。与此同
时，科技浪潮向高性能计算、人工智能、深度学习和5G通信等领域
快速地发展，其愈加依赖超高性能的高速芯片。除芯片自身往更高技
术节点推进外，高性能封装技术也成为主要的解决方案之一。
高性能封装作为一种前沿的封装技术，其主要特点为I/O的高密
度（≥16/mm2）和细间距（≤130μm）
其典型的代表为高速专用集成电路（applicationspecific
integratedcircuit，ASIC）处理芯片和大约4
000个端口的高带宽存储器（highbandwidthmemory，
HBM）的超高密度连接，该异构芯片集成封装技术将整体性能推向
极致。据Yoledevelopment预测，从2019～2025年，高性能封
装的市场营收将由8亿美元增至43亿美元，年平均复合增长率约
为31%。对此，封测企业（OSAT）、晶圆代工厂和垂直整合制造厂
（integrateddesignandmanufacture，IDM）纷纷强势加入该赛
道，布局相关发明专利，抢占市场。
本文主要介绍国内、外现有的高性能封装技术，阐述其结构特
点，分析我国在该领域的现状，为国内封测企业在高性能封装技术的
研发和产业化上提供必要的信息支持。
1主要的高性能封装技术
目前，高性能封装技术主要包括：超高密度扇出封装（ultra-
highdensityfan-out，UHDFO）、2.5Dinterposer、3D
stackedmemories、embeddedSibridge和hybridbonding，
其关键技术基本掌握在世界头部封测企业（OSAT）、先进的晶圆代
工厂和IMD手中，如长电科技、日月光、安靠、台积电
（TSMC）、三星（Samsung）和英特尔（Intel）等，如图1所
示。
在高性能封装技术中，芯片间的异构或异质封装集成扮演着重要
作用，涉及TSV技术、高密度重布线（RDL）、micro
bump和bumpless混合键合等先进工艺，这些工艺对设备、无尘
室等级均有较高的要求，而且前期资本投入很高。晶圆代工厂
和IDM利用自身先进的制造能力、强大的人才和经济实力，在高性
能封装技术领域占据着绝对优势地位。
1.1OSAT的高性能封装技术
在高性能封
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