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- 2024-12-14 发布于广东
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AP5G15NF
150VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP5G15NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V150VI5.5A
DSD
RDS(ON)320mΩ@VGS10V(Type:250mΩ)
V-150VI-4.2A
DSD
RDS(ON)780mΩ@VGS-10V(Type:62
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