深圳市羽楷科技AP5G15NF 5A 150V N+P PDFN5X6-8L.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.41万字
  • 约 10页
  • 2024-12-14 发布于广东
  • 举报

深圳市羽楷科技AP5G15NF 5A 150V N+P PDFN5X6-8L.pdf

AP5G15NF

150VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP5G15NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V150VI5.5A

DSD

RDS(ON)320mΩ@VGS10V(Type:250mΩ)

V-150VI-4.2A

DSD

RDS(ON)780mΩ@VGS-10V(Type:62

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档