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- 2024-12-14 发布于广东
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AP15H10S
100VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP15H10SusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI15A
DSD
RDS(ON)53mΩ@VGS=10V(Type：43mΩ)
Application
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