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5.两个稳压管DZ1和DZ2的稳压值分别为8.6V和5.4V,正向压降均为0.6V,设输入电压Ui和R满足稳压要求。
(1)要得到6V和14V电压,试画出稳压电路;
(2)若将两个稳压管串联连接,可有几种形式?各自的输出电压是多少?
6.题图7.5所示为稳压管稳压电路。负载电阻RL由开路变到2kΩ,输入电压ui波动为±10%,若要求直流输出电压Uo=12V,如何选择稳压管DZ和限流电阻R。题图7.57.题图7.6中,若DA和DB求下列几种情况下输出端F的电位UF及各元件中流过的电流。
(1)UA=UB=0V;
(2)UA=3V,UB=0V;
(3)UA=UB=-3V。
题图7.6*第9章半导体二极管及其应用第7章半导体二极管及其应用7.1半导体二极管7.2稳压二极管7.3特殊二极管简介习题9
1.半导体二极管的结构和符号
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如硅、锗等。纯净的半导体又称为本征半导体,其原子排列整齐有序,呈晶体结构。半导体材料有几个重要性质,如热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
掺杂特性是指在半导体中掺入微量元素后,其导电能力大为提高,且在本征半导体中掺入不同的微量元素后,就会得到不同性质的半导体材料。7.1半导体二极管例如,在本征半导体硅中掺入微量磷元素,就会形成电子型半导体,又称为N型半导体;掺入微量硼元素,就会形成空穴型半导体,又称为P型半导体。把N型半导体和P型半导体结合在一起,其界面处就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。将PN结装上电极引线和管壳,就是半导体二极管,又称晶体二极管,简称二极管,其结构和符号如图7.1所示。图7.1二极管的结构和符号(a)结构示意图;(b)符号2.半导体二极管的单向导电性
二极管最为重要的特性是其单向导电性,即加正向电压(也叫正偏电压)导通,如图7.2(a)所示,二极管的阳极接电源正极,阴极接电源负极,此时灯亮;加反向电压(也叫反偏电压)截止,如图7.2(b)所示,二极管的阴极接电源正极,阳极接电源负极,此时灯不亮。图7.2二极管的单向导电性(a)正偏导通;(b)反偏截止3.半导体二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是指二极管通过的电流与其端电压之间的关系,如图7.3所示。
从图7.3可看出:
(1)二极管的伏安特性是一条曲线,这表明二极管是非线性元件。
(2)当二极管两端的电压较小时,二极管中没有电流,即二极管不导通,这一段称为死区。硅管的死区电压为0.5V,锗管为0.1V。
(3)电压大于死区电压后,电流急剧增大,这时二极管导通。硅管的导通电压约为0.7V,锗管约为0.3V。图7.3硅二极管的伏安特性(4)当二极管两端加反向电压时,管中会有很小的反向电流,且随着反向电压的增加,反向电流基本保持不变,称为反向饱和电流。硅管的反向饱和电流为几到几十微安,锗管为几十到几百微安。由于半导体的热敏特性,反向饱和电流会随着温度的升高而增大,通常温度每升高10℃,反向饱和电流约增大一倍。
(5)当反向电压过大时,其反向电流剧增,称为二极管反向击穿,击穿时二极管由于过热可能烧坏。4.半导体二极管的主要参数
(1)最大整流电流IF。它是二极管允许长期通过的最大正向平均电流。有些电流较大的二极管必须按规定加装散热片,否则可能因过热而烧坏。
(2)最高反向工作电压URM。它是二极管工作时允许承受的最大反向工作电压,实际使用时其反向工作电压不要超过这一数值,以免造成二极管反向击穿而损坏。
(3)最高工作频率fM。超过这个频率,二极管将失去单向导电性。
此外,还有反向电流、正向电压等参数。5.二极管的应用
利用二极管的单向导电性,可实现整流、限幅等功能。
1)二极管整流电路
二极管最基本的应用是整流,即把交流电转换成脉动的直流电。图7.4(a)所示为二极管半波整流电路。若忽略二极管的死区电压和反向饱和电流,则可把二极管看成理想二极管,即把二极管作为一个开关,当输入电压为正半周时,二极管导通(相当于开关闭合),uo=ui;当输入电压为负半周时,二极管截止(相当于开关打开),uo=0。其输入、输出电压波形如图7.4(b)所示。图7.4二极管半波整流电路(a)电路;(b)输入、输出电压波形2)二极管限幅电路
限幅电路也称为削波电路,它是一种能把输入电压的变化加以限制的电路,常用于波形变换和整形,如图7.5(a)所示。设ui=5sinωtV,E=2V,当uiE时,二极管导通,uo=E=2V;当
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