第二章 光电子材料基础 [Repaired].pdf

第二章光电子材料基础

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2.1半导体物理基础

2.2半导体光学性质和LED固态照明

2.3激光原理和激光材料

2.4光电子集成技术

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2.1半导体物理基础

2.1.1半导体性质

电导率介于金属和绝缘体之间的材料称为半导体。

纯净半导体的电导率随温度升高而指数增加

杂质的种类和数量决定着半导体的电导率

可以实现非均匀掺杂

半导体的电导率受光辐照和高能电子等的影响

硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：

惯性核

142843228184

+4

本征半导体

完全纯净的半导体称为本征半导体。它们是制造半导

体器件的基本材料。

硅和锗共价键结构示意图：

+++

444

共价键++

44

+++

444

➢本征激发

❑共价键具有很强的结合力。当T=0K（无外界影

响）时，共价键中无自由移动的电子。

❑当T升高或光线照射时产生自由电子空穴对。

这种现象称本征激发。

➢空穴的运动

当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留

下空位，同时原子因失去价电子而带正电。

当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成

一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。

注意：空穴运动方向

与价电子填补方向相反。

自由电子—带负电

半导体中有两种导电的载流子

空穴—带正电

杂质半导体

❖N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。

++简化模型：

44

自由电子+

5

++

44

多子——自由电子

N型半导体