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IQ混频器设计-设计论文

IQ混频器设计

周杨

（贵州广播电视大学遵义分校，贵州遵义563000）

【摘要】从设计指标出发，应用ADS及HFSS软件研究并设计IQ混频

器。根据微波混频器设计理论，在分析微波混频器原理的基础上，完成对IQ

混频器中180°混合环、功分器、中频低通滤波器、中频电桥以及混频器模块的

设计，仿真结果满足要求。

关键词IQ混频器；180°混合环；变频损耗；镜像抑制；ADS；HFSS

正交混频器广泛用于宽带电子对抗和雷达系统中，它能把输入的射频信号变

换成两路幅度相等、相位正交的中频信号。由于内部电路设计成对称形式，即

使本振通道和射频通道交换，同样也能获得正交的中频信号。正交混频器的重

要特性是，当射频频率从高于本振频率到低于本振频率变化时，两路中频输出

信号之间的正交相位关系也相应地从超前到滞后进行改变。利用该特性可以设

计实现镜像抑制混频器，还可以作为单边带调制器使用,输出新的射频信号。

在本文中，笔者用ADS以及HFSS等仿真软件设计二极管双平衡IQ混频

器，具有开发成本低、性能优良、设计周期短等特点。设计指标：RF频率范

围：2-4GHz；LO频率范围：2-4GHz；IF频率范围：DC-1GHz；变频损耗：

12dB。镜像抑制：18dB。

1镜像抑制混频器理论分析

两个性质截然不同的RF输入信号在频率ωRF=ωLO-ωIF处与混频时，将下

降到同样的IF频率。这两个频率是双边带信号的上边带和下边带，所需要的响

应可任意选择为LSB或HSB，假定去正IF频率，镜像抑制混频器能用来隔离

这两个响应，将他们分开为独立的输出信号。我们利用小信号近似分析，设RF

输入信号为：

其中，VU和VL分别代表高边带和底边带振幅。利用90°混合结的散射矩阵

从上面的结果可以看出，两个边带之间存在900相移，除了惟一的抑制混频

器的通常变频损耗外，镜像抑制混频器不产生任何附加的损耗。

2IQ混频器设计

2.1混频器设计综合

根据混频器的设计指标，采用如图1设计框架，基本组成部分包括180°混

合网络，功分器，混频器，滤波器以及IF电桥。

2.1.1180°混合环设计

180°混合环也叫环形耦合器。如图2仿真模型，整个环的周长为1.5λg，四

个分支线并联在环上，将环分为4段，λg为混合环波长。混合环有两个端口相

互隔离，另外两个端口平分输入功率的特性，因此可以看作是一个3dB定向耦

合器。

从上图3中可以看出，S11=-40.47dB表明端口一匹配良好，S12=-

3.0091dBS13=-3.1691dB说明端口一将功率等分至二三端口，S14=-

37.3292dB说明一口与四口之间有良好的隔离。

2.1.2功分器设计

功分器采用3dB等分威尔金森功分器设计将信号等幅同相的从两个输出端口

输出；模型如图4。

图5可知，在中心频率3GHz附近，S12=-3.0827dB说明一端口到二三端

口之间几乎做到了功率分，S11=-21.6948dB表明一端口匹配良S23=-

25.7215dB说明二三端口之间隔离良好。

2.1.3滤波器设计

滤波器为IQ混频器的关键组成部分，其对本振信号和射频信号的抑制作

用，防止它们泄露到中频端口降低端口隔离度，增大变频损耗，对整个混频模

块性能影响显著，较好的中频滤波是IQ混频器优异性能的关键。应用ADS仿

真，如图6所示:

从图7-a可知，滤波器通带从DC到1GHz回波损耗优于24.8dB。从图7-

b知，滤波器通带从DC到1GHz插入损耗优于0.5dB，带外抑制从2~4GHz

优于31dB。

2.1.4IF电桥设计

正交混合网络是3dB定向耦合器，其直通和耦合臂的输出之间有90度的相

位差.这种类型的混合网络通常做成微带线或带状线的形式。

仿真结果如图