半导体物理课程PN结自习报告.docx

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《半导体物理》课程PN结自习报告2021--2022学年度第一学期

100分课程名称:半导体物理报告满分100分得分

100

分

内容要求：

1.（50分）PN结的结构和电学特性。

2.（50分）举例说明PN结在某一方面的应用。

3.内容不少于2000字。

1PN结简介

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。结构示意图如图1所示。

图1PN结结构示意图

2PN结特性

PN结最显著也是应用最广泛的特性是其单向导电性和击穿特性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如二极管、三极管。都是依靠PN结的单向导电性设计的。

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2.1PN结单向导电性原理

如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如图2所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的，可以认为是导通。

图2PN结加正向电压时图3PN结加反向电压时

如果PN结加反向电压，如图3所示，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的，可以认为是不导通。这样就说明了PN结的单向导电性。

2.2PN结击穿特性原理

随着反向电压不断增大，当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰

撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿损坏，反向电流急剧增大。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿。

3PN特性的应用

PN结基本特性可以制造多种功能的晶体管，在不同的领域发挥着不同的作用。常见的有以下：

1、利用PN结单向导电性可以制作整流二极管和开关二极管。

2、利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，可以设计出双极型晶体管和场效应晶体管，在现代电子技术发挥不可替代的作用。

3、利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；

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4、利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。

5、如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；

下面介绍几种基于PN结特性进行设计的材料。

3.1高方阻太阳能电池

太阳能电池作为新能源之一，在解决碳中和问题上可以发挥巨大的作用。太阳能电池生产过程中,扩散阶段形成的PN结被称为太阳能电池的心脏。其中PN结方块电阻的大小对电池性能有着重要的影响,因此有必要对扩散的最优方块电阻进行研究,从而提高电池转换效率。当今太阳能电池的PN结方块电阻大多为50Ω-60Ω,这是为了保证在丝网印刷时,电极栅线和电池片之间形成良好的欧姆接触。但是重掺杂的情况使载流子发生严重的复合,导致短路电流和开路电压较小。

因此,如果能够保证电池有良好的欧姆接触,又可以提高电池的短路电流和开路电压,将大大改善太阳能电池的效率。器件的效率在PN结方块电阻为70Ω左右时也达到最高。通过掺杂设计的高方阻太阳能电池PN结方块电阻为70Ω左右，电池转换效率比一般的太阳能电池要高，能够

为碳中和问题提供更大的力量。

3.2TiO2氧传感器

随着科技的飞速发展，在航空航天、医药生物、食品加工、环境监测