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APJ10N65D(AP65R950)
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAPJ10N65DisCoolFETIIMOSFETfamily
thatisutilizingchargebalancetechnologyforextremely
lowon-resistanceandlowgatechargeperformance.
APJ10N65Dissuitableforapplicationswhichrequire
superiorpowerdensityandoutstandingefficiency
GeneralFeatures
VDS=650V（Type：720V）IDM=10A
RDS(ON)950mΩ@VGS=10V（Type：890mΩ）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
APJ10N65DTO-252-3L
APJ10N65DXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V
IDContinuousDrainCurrent10A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)30A
VGSGate-SourceVoltage±30V
EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)125mJ
PPowerDissipatio
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