数电第4版 课件 33随机存储器.ppt

2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑5.3静态随机存储器5.4动态随机存储器（1）地址译码器（2）存储矩阵（3）读写控制电路1.SRAM的结构和工作原理6.3静态随机存储器（1）地址译码器缺点：当存储器的存储容量很大时，地址译码器输出的字线将会非常多，译码器的电路结构也变得十分复杂，6.3静态随机存储器x0x1行译码器1列译码器031992336332A0A4A3A2A1A5A9A8A7A6Dy0y1y31x311023993D00000111111111100000B=3E0H=9926.3静态随机存储器（2）SRAM静态存储单元VT1、VT2、VT3及VT4构成SR锁存器VT5及VT6是行选管6.3静态随机存储器（3）读写控制电路存储矩阵10010当CE=0，OE=0时，进行读操作；当CE=0，WE=0时，进行写操作。6.3静态随机存储器010012.SRAM的读写时序读时序写时序6.3静态随机存储器1.DRAM的基本结构6.4动态随机存储器4管动态存储单元单管动态存储单元2.动态存储单元6.4动态随机存储器3.DRAM的典型操作(1)写“1”操作6.4动态随机存储器3.DRAM的典型操作（2）写“0”操作6.4动态随机存储器3.DRAM的典型操作（3）读“1”操作6.4动态随机存储器3.DRAM的典型操作（4）刷新操作6.4动态随机存储器思考1：归纳可以存放1位二进制信息的单元电路小结基本SR锁存器D触发器掩膜ROM存储单元UVEROM存储单元E2ROM存储单元FlashROM存储单元6管SRAM存储单元4管DRAM存储单元单管DRAM存储单元思考2：用ROM实现4×4乘法运算小结设乘数为X3X2X1X0和Y3Y2Y1Y0积为P7P6P5P4P3P2P1P0两个乘数从ROM的地址端输入，乘积从数据端输出，其示意图如图所示。存储器内容小结这种设计方法类似于软件设计中的查表法。优点是速度快，但硬件复杂。例如设计一个8×8的乘法器，需要216×16的ROM。在只读存储器（ROM）中，介绍了掩膜ROM、PROM、EPROM等不同类型ROM的工作原理和特点。在随机存储器（RAM）中，介绍了静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）的工作原理和特点。小结2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑