安世PSMN2R5-40YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN2R5-40YLD

N-channel40V,2.6Ω,160AlogiclevelMOSFETin

LFPAK56usingNextPower-S3Schottky-Plustechnology

27August2019Productdatasheet

1.Generaldescription

160A,logiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin175°LFPAK56package

usingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesignedand

qualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications.

2.Featuresandbenefits

•160AcontinuousID(max)rating

•Avalancherated,100%testedatIAS=150A

•StrongSOA(linear-mode)rating

•NextPower-S3technologydeliverssuperfastswitchingwithsoftbody-dioderecovery

•LowQ,QandQforhighsystemefficiencyandlowEMIdesigns

RRGGD

•Schottky-Plusbody-diodewithlowVSD,lowQRR,softrecoveryandlowIDSSleakage

•Optimisedfor4.5VgatedriveutilisingNextPower-S3Superjunctiontechnology

•HighreliabilityLFPAK(PowerSO8)package,withcopper-clipandsolderdieattach,qualifiedto

175°

•Exposedleadscanbewavesoldered,visualsolderjointinspectionandhighqualitysolder

joints

•Lowparasiticinductanceandresistance

3.Applications

•High-performancesynchronousrectification

•DC-to-DCconverters

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