安世PXN017-30QL深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PXN017-30QL

30V,N-channelTrenchMOSFET

31July2023Productdatasheet

1.Generaldescription

N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT82)Surface-

MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology.

2.Featuresandbenefits

•Logic-levelcompatible

•TrenchMOSFETtechnology

•UltralowQandQforhighsystemefficiency,especiallyathigherswitchingfrequencies

GGD

•Superfastswitchingwithsoft-recovery

•LowspikingandringingforlowEMIdesigns

•MLPAK33package(3.3x3.3mmfootprint)

3.Applications

•DCtoDCconversion

•Batterymanagement

•Low-sideloadswitch

•Switchingcircuits

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

VDSdrain-sourcevoltageT=25°C--3V

VGSgate-sourcevoltage-2-2V

IDdraincurrentVGS=10V;Tamb=25°C;t≤5s[1]--12A

Stat

该用户很懒，什么也没介绍

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