安世PXP011-20QX深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PXP011-20QX

20V,P-channelTrenchMOSFET

31July2023Productdatasheet

1.Generaldescription

P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT800)Surface-

MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology.

2.Featuresandbenefits

•Lowthresholdvoltage

•TrenchMOSFETtechnology

•MLPAK33package(3.3x3.3mmfootprint)

3.Applications

•High-sideloadswitch

•Batterymanagement

•DC-to-DCconversion

•Switchingcircuits

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT=25°C---20V

DSj

VGSgate-sourcevoltage-1-1V

IDdraincurrentVGS=-4.5V;Tamb=25°C;t≤5s[1]---17.A

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=-4.5V;I=-10.5A;T=25°C-9.111.4mΩ

DSonGSDj

resistance

V=-2.5V;I=-8A;T=25°C-14.819.7mΩ

GSDj

[1]DevicemountedonanFR4Printe

该用户很懒，什么也没介绍

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