鲁东大学《信号与系统分析》2021-2022学年第一学期期末试卷.docVIP

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鲁东大学

《信号与系统分析》2021-2022学年第一学期期末试卷

院(系)_______班级_______学号_______姓名_______

题号

总分

得分

批阅人

一、单选题(本大题共20个小题,每小题2分,共40分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)

1、在传感器技术中,以下哪种传感器可以测量位移?

A.光电传感器

B.霍尔传感器

C.电感式传感器

D.以上都是

2、在计算机网络中,以下哪种协议用于实现可靠的数据传输:

A.TCP协议

B.UDP协议

C.IP协议

D.ICMP协议

3、在模拟通信系统中,调幅(AM)信号的解调方法包括?

A.相干解调

B.包络检波

C.同步检波

D.以上都是

4、在数字通信系统中,以下哪种技术可以对抗多径衰落?

A.均衡技术

B.分集技术

C.扩频技术

D.以上都是

5、在数字通信系统中,以下哪种复用技术适用于模拟信号的传输?

A.时分复用

B.频分复用

C.码分复用

D.波分复用

6、在自动控制原理中,关于系统的稳定性分析,以下哪个说法是错误的?

A.可以通过劳斯判据、根轨迹法等方法判断线性系统的稳定性。

B.系统稳定的充分必要条件是其特征方程的根都具有负实部。

C.对于非线性系统,可以直接使用线性系统的稳定性分析方法来判断其稳定性。

D.系统的稳定性与系统的参数、结构以及输入信号的形式都有关系。

7、在通信系统的扩频技术中,以下哪种扩频方式通过改变信号的频率实现:

A.直接序列扩频(DSSS)

B.跳频扩频(FHSS)

C.跳时扩频(THSS)

D.混合扩频

8、对于一个无线通信系统,若其工作频段为2.4GHz,传播环境较为复杂,存在多径衰落和阴影效应。为了提高通信的可靠性,以下哪种技术是较为有效的?

A.分集接收

B.智能天线

C.扩频通信

D.以上都是

9、对于通信系统的噪声性能,以下哪个参数用于衡量系统内部产生的噪声?()

A.热噪声

B.散粒噪声

C.量化噪声

D.内部噪声系数

10、关于数字电路中的计数器,以下哪种计数器可以实现任意进制计数?()

A.同步计数器

B.异步计数器

C.加法计数器

D.可编程计数器

11、在射频电路设计中,以下哪种元件常用于匹配网络?

A.电感

B.电容

C.电阻

D.以上都是

12、在数字信号处理的量化噪声分析中,以下哪种量化方式可以减小量化噪声:

A.均匀量化

B.非均匀量化

C.对数量化

D.以上都是

13、在电子信息工程中,关于通信协议的作用,以下哪个描述是不正确的?

A.通信协议规定了通信双方在数据传输过程中的格式、顺序、控制信息等,确保数据的正确传输和理解。

B.常见的通信协议有TCP/IP、UDP、蓝牙协议等,它们适用于不同的通信场景和需求。

C.通信协议可以提高通信系统的效率和可靠性,减少错误和冲突的发生。

D.通信协议一旦确定就不能修改和升级,否则会导致通信系统的混乱。

14、在卫星导航系统中,以下哪种定位原理是通过测量卫星到接收机的距离来实现的?

A.伪距定位

B.载波相位定位

C.多普勒定位

D.以上都是

15、在模拟电路的反馈系统中,以下哪种反馈可以提高电路的输入阻抗?

A.电压串联反馈

B.电压并联反馈

C.电流串联反馈

D.电流并联反馈

16、对于集成电路设计,以下关于CMOS工艺的特点,哪一项描述是不正确的?

A.CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的噪声性能等优点。

B.CMOS电路的静态功耗几乎为零,但动态功耗会随着工作频率的增加而显著增大。

C.CMOS工艺中,NMOS管和PMOS管的阈值电压对电路性能影响较小,可以忽略不计。

D.在CMOS工艺中,通过合理的版图设计可以减小寄生电容和电阻,提高电路性能。

17、在电子电路中,晶振是一种常用的时钟源。晶振的频率稳定性对电路的性能有着重要影响。如果一个电路需要一个频率为10MHz的时钟信号,应该选用哪种类型的晶振呢?

A.无源晶振

B.有源晶振

C.陶瓷晶振

D.石英晶振

18、在半导体存储器中,SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的主要区别在于?

A.存储容量

B.读写速度

C.存储单元结构

D.刷新方式

19、在半导体器件中,场效应管(FET)有多种类型。其中,结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)在工作原理和特性上有一定的区别。以下关于这两种场效应管的比较,哪一项是错误的?

A.JFET的输入电阻小于MOSFET的输入电阻

B.MOSFET的噪声系数小于JFET的噪声系数

C.JFET通常比MOSFET更适合在高频下工作

D.MOSFET的制造工

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