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真空电子器件的发展

摘要：本文讨论了真空电子器件进一步发展的前景、方向和技术路线图。指

出真空电子器件的小型化和集成化对提高我国装备的性能和战斗能力有重要的作

用。真空电子器件虽然有百年发展历史，但今天它仍然是处在发展中的一种器件，

它和微电子、光电子和新材料科学的融合，不仅产生了新的器件，还将给装备带

来新的性能和战斗能力。

关键词：小型化，微波，真空电子，集成

微波真空电子器件的工作原理给予它天然的优势，或者说是天然的生命力，

其原理是真空中的电子注和周围介质的互作用产生微波。这种工作原理使得它可

以工作在任意电压和任意电流条件下，即高文库电压、大电流；中等电压、中

等电流和低电压、低电流状态。因而微波真空电子器件的功率可以大到吉瓦、兆

瓦、千瓦、百瓦；小到瓦和毫瓦。这个优点是半导体器件所不具备的。半导体器

件的工作电压和其所用的材料密切相关。第三代半导体器件的工作电压，目前可

达到50V，这就限制了它所能够达到的功率水平。真空电子器件的另一个优势是

电子注中未用完的能量可以回收，使其具有高效率。以空间行波管为例，采用四

级降压收集极，总效率可达到70%以上，这么高的效率是固态器件无法达到的。

在宽带行波管（如6-18GHz）中，总效率也已达到40%以上。在同样波段，固态

器件要达到40%以上是困难的。

真空电子器件中的电子速度可以达到相对论速度，决定了它可以获得更高的

工作频率。近年来太赫兹器件的发展表明，真空电子器件工作频率已经达到1THz，

170GHz时的输出功率可达到兆瓦级。

真空电子器件可以承受核辐射和其他电磁辐射的影响，因此它在空间装备中

成为一个重要的器件。固态器件抗辐射的能力远低于真空电子器件。在现代高技

术局部战争条件下，抗辐射能力是一个必须考虑的因素。

真空电子器件的这些优势就决定了它不可能被其他器件所取代。它在结构、

可靠性、寿命上存在的问题，如体积大、高电压、打火、寿命等问题，一定会在

进一步发展中得到解决。

一、微波真空电子器件的发展战略

微波真空电子器件的进一步发展方向是高功率、高频率、高可靠、高效率和

小型化，即称之为“四高一小”。真空电子器件具有大功率、高频率、高效率，

这是大家都公认的优点；目前显示出来的问题是易打火、寿命短、体积大、不适

合有源相控阵体制使用；这些问题不是真空电子器件固有的“特性”，可以通过

降低电压和改进工艺等措施来克服；真空电子器件的特点是能获得比固态器件更

大的功率和效率；真空电子器件发展改进的方向就是要发挥它自身的优点，克服

存在的缺点，满足装备的需求。

真空电子器件将继续提高其输出功率，特别是在兆瓦级大功率速调管、回旋

管和相对论器件方面为装备提供大功率微波发射能力的支持；如高功率电磁武器

需要的微波功率源，输出功率要达到20GW或更高，为ITER提供的140GHz-

170GHz兆瓦级回旋管正在国内外开发。在新频段开拓方面，将向毫米波和亚毫米

波（太赫兹）频域发展，为装备提供更大带宽、更高通信速率、直接成像、精确

探测等所需的功率源；空间行波管效率将提高到70%以上，宽带行波管效率也将

提高到50%以上，为空间装备、电子战和无人机等装备提供大功率、高效率、高

可靠器件。

1.

微波真空电子器件的发展方向

近年来要重点发展的技术之一是解决微波波段应用的小型化器件问题。因为

2/3的装备都工作在微波波段；毫米波波段虽然重要，但它传输距离有限，毫米

波波段装备数量也有限。真空电子器件大功率、高效率和宽频带的特性，将更加

有效地提高我国装备的性能和战斗能力。利用真空电子器件、固态器件和光电子

器件三者的共同支持，才能构建先进的国防装备。

真空电子器件的工作原理是利用电子注和场的相互作用，将电子注的动能转

化成微波或放大信号的能量。该原理的最大优点是它能适应大功率器件工作，也

能适应小功率器件工作；也就是说，它可以工作在高电压、大电流；也可以工作

在低电压、小电流；或者是电压与电流的任何组合状态。其结构适合于采用各种

介质材料，也适合各种加工方式。正是这种结构上的适应性和灵活性，使得真空

电子器件百年发展以来，没有出现严格的分代概念。固态器件之所以要分代，因

为新一代器件的发展，必须建立在新一代材料的基础上。发展新材料的目的在于

提高器件的工作电压。固态器件目前只能工作在低电压、大电流状态；第三代半

导体器件依赖于GaN材料，因为GaN器件的工作电压比GaAs器件的工作电压高，

它