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蓝宝石衬底片项目可研简介.pdf

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    蓝宝石衬底片项目

    可研报告

    2010．5

    蓝宝石衬底片项目可研简介

    一、市场分析

    以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带第三代半导体材料近年来发展十分迅速，

    氮化镓（GaN）基半导体材料具有发光效率高、良好的导热率、耐高温、抗辐

    射、高强度和高硬度等特性，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二级管（又

    称激光器）。但氮化镓（GaN）材料本身不能生长出单晶，必须生长在与其结

    构相类似的衬底材料上。目前国际上公认的衬底材料为蓝宝石晶体。。

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