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晶体管和二极管区别

晶体管和二极管区别

首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体

管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原

理。

半导体二极管及其特性

半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和

面接触型两种。

点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上

一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处

理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分

别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半

导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。

面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安

放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，

使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。此P型晶体与末熔化

的N型晶体组成P—N结。

点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层

间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为

15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者

只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流

小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整

流。

常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：

1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所

能应用的频率范围。

2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般

比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被

击穿的危险。

3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电

流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流

性能。

4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。

晶体三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是

电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很

近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，

两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从

三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结

叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发

射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；

NPN型三极管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相

反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结

在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型

和NPN型两种类型。

晶体三极管及其工作原理

晶体三极管系由俩个P—N结组合而成。根据组合方式的不同，

有PNP型及NPN型两种。它们的工作原理是完全相同的。

晶体三极管的制造方法有生长法、合金法和扩散法等数种。出于

生长法工艺复杂，质量控制困难，目前已被淘汰。合金法工艺简单，

价格低廉，目前多采用此法生产。国产3AXl—5型晶体管即采用合金

法制成。合金法制成的晶体管的缺点是结的厚度不易精确控制，因而

工作频率不高。

扩散法的优点是P—N结的厚度可以精确控制，能获得很薄的扩

散层，因而工作频率可以大大提高。国产3AGll一14即属此型，适易

在高频下工作。

晶体三极管共有三个不同的导电区域，例如两个P型区夹着一个