《外延及CVD工艺》课件.pptVIP

**************外延的概念和特点外延的概念外延是通过在单晶衬底上生长单晶薄膜的过程。外延薄膜与衬底具有相同的晶体结构和取向。衬底为外延薄膜提供晶体模板，决定薄膜的生长方向和晶格常数。外延的特点外延薄膜具有特殊的晶体结构和电学性质。外延薄膜的晶体缺陷较少，电子迁移率高，应用于各种电子器件和光电子器件。外延的主要生长方式气相外延从气相中沉积薄膜。常用方法包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）。液相外延从液相中沉积薄膜。常见方法包括溶液生长和熔体生长。分子束外延从气相分子束中沉积薄膜。具有生长速度快、薄膜均匀性好等优点。固相外延利用固态薄膜在晶体基底上重结晶生长。分子束外延技术（MBE）1超高真空真空度可达10-8Pa2精确控制控制生长速率和成分3低温生长防止基底材料被破坏MBE是一种超高真空下进行的薄膜生长技术。MBE可以精确控制薄膜的厚度、成分和结构，是制备高质量薄膜的关键技术之一。MBE工艺流程和设备材料制备首先，需要将高纯度的材料制成薄片，例如硅或砷化镓。表面清洁将薄片放入真空腔室中，通过高温加热或离子溅射等方法去除表面的氧化物和污染物，获得干净的表面。外延生长在真空腔室中，通过加热源将材料蒸发成原子或分子，然后沉积到基片上，形成薄膜。冷却和取出生长完成后，需要将薄膜慢慢冷却到室温，并从真空腔室中取出。MBE生长过程的控制因素衬底温度衬底温度是影响外延薄膜生长速度、晶体结构和表面形貌的重要因素。适当的衬底温度可以确保外延薄膜的晶体质量和表面平整度。生长速率生长速率是指外延薄膜在单位时间内的生长厚度，由源材料的蒸发速率和衬底的温度等因素决定。生长速率的控制对于薄膜厚度、均匀性和成分控制至关重要。真空度MBE生长过程需要在超高真空条件下进行，以确保薄膜生长的纯度和高质量。真空度是影响薄膜生长的关键因素之一。源材料的纯度源材料的纯度直接影响外延薄膜的质量。高纯度的源材料可以有效地减少薄膜中的杂质含量，提高薄膜的电学和光学性能。低压化学气相沉积（LPCVD）1LPCVD概述LPCVD技术是一种在低压条件下进行薄膜沉积的工艺。它通常在反应室中进行，该反应室被抽真空至一个非常低的压力，通常在10-3到10-1托之间。2LPCVD特点LPCVD的主要特点包括：较高的均匀性和重复性、较低的沉积温度以及较好的薄膜控制。3LPCVD应用LPCVD广泛应用于制造各种半导体器件，包括集成电路、传感器和太阳能电池。LPCVD的基本原理和特点1低温沉积低温操作，温度低于传统CVD温度，避免高温引起基底材料退化或形变。2均匀性薄膜沉积均匀，保证器件性能一致性，提高生产良率。3良好控制通过调节气体流量、温度和压力，实现对薄膜厚度和成分的精确控制。4多种应用用于制备各种薄膜，如氧化硅、氮化硅和多晶硅薄膜，应用于多种半导体器件。LPCVD的工艺设备及工艺流程LPCVD工艺设备主要由反应室、气体输送系统、加热系统、真空系统和控制系统组成。反应室是进行薄膜沉积的主要场所，气体输送系统负责将反应气体输送到反应室，加热系统用来加热基片，真空系统用来抽真空，控制系统用来控制整个工艺流程。1反应室2加热系统3气体输送系统4真空系统5控制系统等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）1等离子体激发通过等离子体产生高能离子2气体反应气体分子在等离子体中反应3薄膜沉积沉积在衬底表面PECVD工艺利用等离子体激发气体分子，并在衬底表面沉积薄膜。PECVD工艺可以实现低温沉积，适用于对衬底材料有温度限制的应用场景。PECVD的基本原理和特点1基本原理等离子体辅助化学气相沉积利用等离子体产生的高能离子或自由基，使反应气体在低温下发生化学反应，并在基片表面沉积薄膜。2特点PECVD工艺具有低温沉积、薄膜均匀性好、可沉积多种材料等特点，在半导体器件、光电子器件和薄膜太阳能电池等领域得到广泛应用。3优点与传统的LPCVD相比，PECVD工艺可以实现更低的沉积温度，这对于热敏材料的薄膜沉积尤为重要，同时可以提高薄膜的质量和性能。4应用PECVD工艺可以用来制备各种类型的薄膜，如硅基薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜等，在半导体器件、光电子器件和薄膜太阳能电池等领域得到了广泛应用。PECVD的工艺设备及工艺流程1真空系统真空系统为PECVD工艺提供低压环境，以控制气体浓度和反应速率。2气体供应系统气体供应系统用于精确控制反应气体的流量，并混合不同气体。3等离子体发生器等离子体发生器通过高频电场将反应