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英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》
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模拟电子技术复习资料总结
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结
*PN结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性同ＰＮ结。
*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若VV(正偏)，二极管导通(短路);
阳阴
若VV(反偏)，二极管截止(开路)。
阳阴
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
Q
的交点叫静态工作点。
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英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》
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2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);
若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连
接。
第二章三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点
1.类型分为NPN和PNP两种。
2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
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英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》
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