电工电子技术基础：半导体与基本放大电路PPT教学课件.pptx

电工电子技术

第7章半导体与基本放大电路

第7章半导体与基本放大电路学习目标1.了解PN结及PN结的单向导电性。2.了解二极管的结构、类型、伏安特性和主要参数。3.了解晶体管的结构、各极电流分配、特性曲线和主要参数。4.掌握基本放大电路的组成、工作原理、静态分析方法和动态分析方法。育人目标了解我国科学家的伟大科学成果，激发学生的奋斗精神和科技报国的家国情怀。

7.1半导体与PN结

7.1半导体与PN结7.1.1半导体简介半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。制造半导体器件的常用材料有单晶硅（Si）或单晶锗（Ge）,这种由单一的硅或锗原子构成的晶体称为本征半导体。在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电两种导电方式，这是半导体导电方式的显著特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质区别。运载电荷的带电粒子称为载流子。在半导体中，由于存在着电子电流和空穴电流，因此自由电子和空穴都是载流子。在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的。通常情况下，本征半导体中载流子的数量是非常少的，其导电能力很差。当温度升高或受其他能量激励（如光照）时，电子的运动加剧，载流子的数目增加，导电性能变好，因此温度对半导体器件的性能影响很大。在本征半导体（如硅）中,如果用扩散等工艺掺入少量的五价元素（如磷）,晶体中将产生大量多余的自由电子，自由电子的浓度大大增加，导电能力大大提高。掺有五价元素、以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。在本征半导体（如硅）中，如果掺入少量的三价元素(如硼)，晶体中空穴的浓度将大大增加，导电能力提高，这种掺有三价元素、以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。

7.1半导体与PN结7.1.2PN结的形成采用一定的工艺，在一块单晶体的两边掺入不同的杂质，使单晶体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，其结合部就是PN结。在这个单晶体中，将P型半导体的一边称为P区，将N型半导体的一边称为N区。P区的空穴浓度高，自由电子浓度低；N区的自由电子浓度高，空穴浓度低。由于单晶体两边的载流子浓度不同，载流子会由浓度高的一边向浓度低的一边扩散，即P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。扩散后，单晶体结合部P区一边将留下一些负离子，N区一边将留下一些正离子，它们形成的电场称为空间电荷区，即PN结。PN结中的电场称为内电场，其方向为由N区指向P区。图7-1所示为PN结的形成示意图。

7.1半导体与PN结内电场有两方面作用：一方面对多数载流子(P区的空穴和N区的自由电子)的扩散运动起阻碍作用，因此空间电荷区又称阻挡层；另一方面推动少数载流子(P区的自由电子和N区的空穴)越过空间电荷区。少数载流子在电场力作用下有规则地越过空间电荷区的运动称为漂移运动。7.1.3PN结的单向导电性在没有外加电压作用的情况下，PN结中的扩散运动和漂移运动处于动态平衡状态。如图7-2a所示，在PN结上加正向电压，即外电源的正端接P区、负端接N区（PN结正向偏置），此时外电场与内电场的方向相反，在一定范围内，外电场越强，正向电流（由P区流向N区）越大，这时PN结呈现的电阻很小。若给PN结加反向电压，即外电源的正端接N区、负端接P区（PN结反向偏置），则外电场的方向与内电场的一致，如图7-2b所示。由于少数载流子的数量很少，因此反向电流不大，即PN结呈现的反向电阻很大。

7.1半导体与PN结由以上分析可知，PN结具有单向导电性。在PN结上加正向电压时，PN结的电阻很小，正向电流较大，PN结处于导通状态；在PN结上加反向电压时，PN结的电阻很大，反向电流很小，PN结处于截止状态。

7.2二极管

7.2二极管7.2.1二极管的结构和类型二极管是在一个PN结的两端加上电极引线，并用外壳封装而成的。P区引出的电极称为阳极，或称为正极；N区引出的电极称为阴极，或称为负极。常用二极管的外形如图7-3a所示。二极管在电路中的图形符号如图7-3b所示。二极管按其结构的不同，可分为点接触型和面接触型两类。点接触型二极管由一根很细的金属触丝（如三价元素铝、镓等）和一块N型半导体（如锗）的表面点接触并熔接构成PN结，然后引出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图7-3c所示。点接触型二极管的PN结面积很小，因此极间电容很小，工作频率较高，但不能承受较高的反向电压和通过较大的电流，这类二极管适合做高频检波和脉冲数字电路中的开关器件，也可用来进行小电流整流。

7.2二极管面接触型二极管是将三价元素铝球置于N型硅片上，加热使铝球与硅片互相熔合和渗透，形成合金，从而使接触的那部分硅片转变成P型，形成PN结，如图7-3d所示。面接触型二极管的PN结面积大，允许通过较大的电流，但结电容也大，因此这类二极管适用于整流等低频电路中。例如