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半导体器件复习题与参考答案.pdfVIP

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士不可以不弘毅,任重而道远。仁以为己任,不亦重乎?死而后已,不亦远乎?——《论语》

第——早

19-4

1一个硅p—n扩散结在p型一侧为线性缓变结,a=10cm,n型一侧为均匀掺

143*

杂,杂质浓度为3X10cm,在零偏压下p型一侧的耗尽层宽度为0.8卩m

求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。

d2

解:qax,(XpX0)

d2qN

°,(0X)

dx^n

d

(X)qa(x22

X),Xx0

dxpp

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(X)X),°xX

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x=0处E连续得x=1.07卩m

x总=X+X=1.87卩

np

m

X

Vn

bi0E(x)dx0.516V

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E(x)dx

5

Ex)4.8210V/m,负号表示方向为n型一侧指向p型一侧。

maxp

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