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?2012SK-ElectronicsCO.,LTD.Allrightsreserved.?2012SK-ElectronicsCO.,LTD.Allrightsreserved.超级解像技術

~S/DPattern(ChannelLength：3.5um)~SK-Electronics2012.2制作Introduction(1/4)利用半导体业界中广泛应用的AssistPattern开发Mask新产品利用AssistPattern光回折效果，提高解像度。IntensityIntensityUP无AssistPattern有AssistPatternAssistPattern

解像极限以下的SlitIntroduction(2/4)利用Halftone型PSM,实现解像度的提升。QZPhaseShiftfilm随PhaseShift膜，它的波長将180deg.Shift。同样Phase不同PhaseLine＆Space界限部位的Contrast将会提升、随之解像度也会上升。光束的抵消现象Introduction(3/4)利用光回折效果，实现Intensity的提升。IntensityBinaryHTMTOPIntensityUP两种成分合二为一，达到Intensity提高的效果透过率3～10%的

HalfTone膜Contrast恶化Introduction(4/4)接下来将着重介绍以下2种解像技术。IntensityTOPViewSideView光振幅

分布ReferencePSHTPhaseShiftfilmHalftonefilm+-+-+-SimulationResults

~SSM~MaskDesignConditionMaskDesignCondition初期膜厚：2.2um

REFPSMHTCrPSHTCutlineSimulationResult:IntensityRoundtypeIntensitySimulationPSMHTSimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofDOSE、ResistProfile)DOSE比較(EOP)ResistProfileUnit：mj与Ref相比，未发现任何差别Cut_line：Xsourcechanneldrain与其它相比，HT(8%)的Contrast(TaperAngle)较低。

SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofRTPR：Channel)PR残膜厚RangeのSimulation実施。Cutline依赖性(x、y、r)RTPR:Channelpart与Ref相比，没有任何差别。SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um

(ComparisonofRTPR：Channel、RTPR：SourcePart)PR残膜厚RangeのSimulation実施。Defocus依赖性(0、15、30um)RTPR:ChannelpartSourcepart(Top-Resist)：RTPR与Ref相比，RTPR的变化幅度也没有因为Defocus而产生差距。与Ref相比，还是未产生任何差距。未产生Top-Loss。总结?可以利用BinaryPattern，足可以达到窄宽效果。?SSM类型分别和Binary，PSM，HTM相比，没有任何差别。总结：SSMSimulationResults

~全解像~?2012SK-ElectronicsCO.,LTD.Allrightsreserved.?2012SK-ElectronicsCO.,LTD.Allrightsreserved.