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半导体器件物理实验报告格式[5篇模版]

第一篇：半导体器件物理实验报告格式

微电子学院

《半导体器件实验》

实验报告

实验名称：作者姓名：作者学号：同作者：实验日期：

实验报告应包含以下相关内容：

实验名称：

一、实验目的二、实验原理

三、实验内容

四、实验方法

五、实验器材及注意事项

六、实验数据与结果

七、数据分析

八、回答问题

实验报告要求：

1.使用实验报告用纸；

2.每份报告不少于3页手写体，不含封皮和签字后的实验原始数据

部分；

3.必须加装实验报告封皮，本文中第一页内容，打印后填写相关

信息。

4.实验报告格式为：封皮、内容和实验原始数据。

第二篇：半导体器件物理教学内容和要点

教学内容和要点

第一章半导体物理基础

第二节载流子的统计分布

一、能带中的电子和空穴浓度

二、本征半导体

三、只有一种杂质的半导体

四、杂质补偿半导体第三节简并半导体

一、载流子浓度

二、发生简并化的条件

第四节载流子的散射

一、格波与声子

二、载流子散射

三、平均自由时间与弛豫时间

四、散射机构第五节载流子的输运

一、漂移运动迁移率电导率

二、扩散运动和扩散电流

三、流密度和电流密度

四、非均匀半导体中的自建场

第六节非平衡载流子

一、非平衡载流子的产生与复合

二、准费米能级和修正欧姆定律

三、复合机制

四、半导体中的基本控制方程：连续性方程和泊松方程

第二章PN结

第一节热平衡PN结

一、PN结的概念：同质结、异质结、同型结、异型结、金属－半

导体结

突变结、缓变结、线性缓变结

二、硅PN结平面工艺流程（多媒体演示图2.1）

三、空间电荷区、内建电场与电势

四、采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷

区形成的过程

五、利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电

势

及PN结空间电荷区两侧的内建电势差

六、解poisson’sEq求突变结空间电荷区内电场分布、电势分

布、内建电势差和空间电荷区宽度（利用耗尽近似）

第二节加偏压的PN结

一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结

的单向导电性

二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注

入和反向抽取现象

第三节理想PN结的直流电流-电压特性

一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表

达式，电流－电压关系

二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流

子电流）

第四节空间电荷区的复合电流和产生电流

一、复合电流

二、产生电流

第五节隧道电流

一、隧道电流产生的条件

二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示Fig2.12）第六节IV特

性的温度依赖关系

一、反向饱和电流和温度的关系

二、IV特性的温度依赖关系

第七节耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管

一、PN结C-V特性

二、过渡电容的概念及相关公式推导求杂质分布的程序（多媒体

演示Fig2.19）

三、变容二极管第八节小讯号交流分析

一、交流小信号条件下求解连续性方程，导出少子分布，电流分

布和总电流公式

二、扩散电容与交流导纳

三、交流小信号等效电路第九节电荷贮存和反响瞬变

一、反向瞬变及电荷贮存效应

二、利用电荷控制方程求解s

三、阶跃恢复二极管基本理论第十节P-Ｎ结击穿

一、PN结击穿

二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导

三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题

第三章双极结型晶体管

第一节双极