集成逻辑门电路 课件 .pdfVIP

第三章集成逻辑门电路

3.1CMOS逻辑门电路

3.2TTL逻辑门电路

3.3逻辑门电路的实际应用

3.1CMOS逻辑门电路

3.1.1CMOS基本电路

1.MOS管及其开关特性

MOS场效应管（以下简称MOS管）是构成MOS电路的开关元

件，它有三个电极：栅极G、源极S和漏极D，B是衬底，用栅-

源电压来控制漏-源电流。

MOS管的分类:（1）根据所用材料不同，MOS管可分为

N沟道和P沟道两大类，分别简称为NMOS和

PMOS

（2）按其采用工艺的不同又分为增强

型和耗尽型两种。

3.1CMOS逻辑门电路

下面仅介绍增强型NMOS管和PMOS管及其开关特性，它

们的电路符号如图3-1所示。

在数字电路中，MOS管仅工作在导通和截止两个状态。

N沟道衬底接电路中最低电位，P沟道衬底接电路中最高电位。

3.1CMOS逻辑门电路

2.CMOS非门（反相器）

1、CMOS管的组成结构：

CMOS非门是CMOS电路的基本单元电路，是用一个NMOS管

和一个PMOS管以互补对称的方式构成，电路结构如图3-2（a）

所示。两管的栅极相连作为输入端A，漏极相连作为输出端

V

Y,PMOS管的源极和衬底接电源，NMOS管的源极和衬底接

DD

地。设VDD为5V。

若输入为低电平A0V,PMOS管导通，其等效为闭合的

开关，输出端和电源相连；NMOS管截止，其等效为断开的开

关，输出端对地的通路被阻断，如

3.1CMOS逻辑门电路

等效

3.1CMOS逻辑门电路

V5V

图3-3(a)所示，此时输出高电平YDD。若输入

A5V

高电平，NMOS管导通，其输出端和地相连；

PMOS管截止，其输出端到电源的通路被阻断，如图3-

=0V

3(b)所示，此时输出低电平Y。

CMOS非门的上述分析结果可用如图3-2(b)所示的

真值表来描述，由表可见，这个CMOS非门的电路实现

了输出Y和输入A之间的逻辑关系，即YA

3.1CMOS逻辑门电路

3、CMOS与非门和或非门：

1）二输入与非门

图3-4（a）所示的是二输入CMOS与非门的电路结构，其

TTTT

中、是两个并联的PMOS管，、是两个串联的NMOS管，

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A、B是两个输入端，分别连到一个PMOS管和一个NMOS管的

、

栅极。中只要有一个为低电平，则串联的二个NMOS管

AB

中就至少有一个是截止的，使得输出端对地的通路被阻断，

而并联的两个PMOS管至少有一个是导通的，输出端可通过



该导通晶体管和电源