电气工程及其自动化专业英语》课程论文.pdf

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重庆邮电大学移通学院

《电气工程及其自动化专业英语》课程论文

年级

专业

姓名

学号

Insulated-gateBipolarTransistorBasics

AbstractModernPowerElectronicsmakesgeneroususeofMOSFETsand

【】

IGBTsinmostapplications,and,ifthepresenttrendisanyindication,thefuturewill

seemoreandmoreapplicationsmakinguseofMOSFETsandIGBTs.For

high-voltageorhigh-powerapplications,itmaybenecessarytorealizealogical

switchbyconnectingsmallerunitsinparallelandseriestoachievehighavailability,

high-frequencyoperation,andlowcostduetobuild-inredundancy,reduceddynamic

losses,andmodularuseofstandardizedunits,respectively.IGBTsarevery

convenienttorealizesuchunits,becauseofquasi-linearcontrollabilityviaagate

terminal.ThisthesisinvestigatescontrolmethodologiesforpowerMOS

semiconductorswitcheswithfocusoncombinedparallelandseriesconnectionof

IGBT/diodemodules.ItisproposedtoprovideeachIGBTwithprimarylocalcontrol

tomonitorandadjusttheIGBTsstaticanddynamicbehavior.Secondary(global)

controlsynchronizestheoperationofmultipleIGBTs.Agloballysynchronousclock

canalsobederivedlocally.Thismakesitpossibletouselow-costlow-bandwidthdata

linksbetweenseries-connectedunits.Thereby,aflexiblemaster-slaveapproachcan

avoidtheneedofdedicatedglobalcontrol.Thatis,theentiresystemismanageableby

thelocalgatedrivecircuitry.

Keywords:IGBTapplicationsMOSFETcharacteristic

Introduction:TheIGBTisasemiconductordevicewithfouralternatinglayers

(P-N-P-N)thatarecontrolledbyametal-oxide-semiconductor(MOS)gatestructure

withoutregenerativeaction.Thismodeofoperationwasfirstprop

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