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基于二元溶剂液桥法的量子点薄膜制备及QLED器件性能研究.pdf

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    摘要

    量子点发光二极管（QuantumdotLight-EmittingDiode，QLED）具有色纯度高、色

    域广、寿命长等优点，在照明和显示领域具有较大的发展前景。并且随着量子点合成工

    艺的改进和器件结构的优化，QLED的性能已经取得较大突破，相关性能已经能够初步

    满足商业化应用要求，但是QLED器件的大面积高效构筑仍是难题，阻碍了商业化应用

    进程。目前常用制备量子点薄膜的方法主要包括旋涂法、Langmuir-Blodgett（LB）

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