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第二章半导体存储器
2.1半导体存储技术基本原理
2.2静态随机读/写存储器
2.3动态随机读/写存储器
2.4只读存储器
2.5其他类型的半导体存储器
小结
2.1半导体存储技术基本原理
2.1.1半导体存储器概述
半导体存储器具有十分丰富的形式和特点。针对特定应
用而言,存储器呈现出的特征主要包括存储器的容量、读/
写速度以及相应的读/写模式。对于容量指标,电路设计者
关注存储器总容量,即存储器提供的位数或者触发器(寄存
器)的个数;芯片设计者则使用字节(B)、千字节(KB)、兆字
节(MB)、吉字节(GB)等单位描述存储容量;系统设计者则
关心存储器提供的可处理单元数目(字),如32位处理器中每
个字可以认为是32位宽。
图2.1描述了存储器读/写的基本时序。读时间定义为读
请求与有效数据稳定读出之间的延迟时间,而写时间则是写
请求与输入数据最终写入到存储的时间间隔。存储器的读/
写周期则是连续两次进行读或写操作的最短时间间隔,通常
读/写周期要大于读时间或写时间。一般的存储器读/写时间
可以相同也可以不同,简单起见,我们认为读/写时间一致。
从存储器的基本功能、读/写模式以及存储机制角度看,
存储器可以分为不同的类型。其中最典型的分类是:读/写
存储器(Read-WriteMemory,RWM)和只读存储器(Read-
OnlyMemory,ROM)。
图2.1存储器读/写的基本时序
RWM能够提供不同的操作类型,数据以触发器形式存
储或者以电容上的电荷形式存储,而触发器形式的单元称做
静态存储,只要有相应电源供电就能保存内部的数据信息。
与之对应的电荷形式存储单元则称做动态存储,为了防止漏
电流导致的电荷损失,动态存储必须定期进行刷新操作以维
持数据信息。由于RWM必须维持供电保持存储信息,故这
类存储可以归为易失型半导体存储器。
ROM利用半导体电路拓扑结构进行信息编码存储,比
如通过添加或删除二极管(晶体管)进行信息的存储。由于拓
扑结构是由内部硬连线确定的,存储数据只能读出不能修改,
因此ROM属于非易失型半导体存储器,即外部电压的去除
不会引起数据丢失。另外还有一类重要的非易失型半导体存
储器可以提供读功能和写功能,如可擦除的可编程只读存储
器(EPROM)、电可擦除的可编程只读存储器(E2PROM)以及
闪速存储器(FLASH),可以称为非易失型读/写存储器
(NonvolatileRead-WriteMemory,NVRWM),其主要特点就
是掉电信息不丢失以及写操作时间比读操作时间长。
存储器按数据获取方式不同可以分为随机获取存储器
(RandomAccessMemory,RAM)和顺序获取存储器(Sequence
AccessMemory,SAM)。目前大多数存储器均属于随机获
取存储器,即数据存储的位置与相应的读/写方式无关。这
里需要说明的是,大多数ROM和NVRWM同样可以进行数
据的随机存取操作,而一般采用RAM表示RWM型存储器。
相应的顺序获取存储器则对数据的读/写方式与存取位置进
行约束,用以获得速度、面积或者特殊功能方面的性能。这
类存储器主要有:先入先出存储器(First-InFirst-Out,FIFO)、
后入先出存储器(Last-InFirst-Out,LIFO)、移位寄存器(Shift
Register)和内容寻址存储器(Contents-AddressableMemory,
CAM)。
表2.1给出了半导体存储器的分类。在接下来的部分,我们
将选择典型的存储器说明其内部基本单元和相应外部电路的
构造。
最后一种对半导体存储器分类的方式是根据数据输入和
输出端口的数目进行的,如将常用的存储器输入和输出共享
单一的端口称做单端口存储器。而为了提高存储器读/写的
吞吐率,有时会使用具有多个端口的存储器,如FIFO存储
器内部就是双端口存储器,而精简指令集计算机(Reduced
InstructionSetComputer,RISC)处理器中的寄存器文件则提
供了更多的端口进行读/写操作。
表2.1半导体存储器的分类
2.1.2半导体存储器基本结构
对于一个N字、每字长为M位的存储器,一种简单直观
的组织方式如图2.2(a)所示。
图2.2具有N个字且每个字长为M位的存储结构
这种组织情况下,每个存储字以顺序的方式线性排列,
对存储字的读/写则通过N个选择信号S0~SN-1进行,这样同
一时刻只能有一个选择信号有效以确保读/写正确。那么这
种方式可以等效为每一个存储字由M个D触发器组成,而选
择信号S0~SN-1为对应D触发器
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