第四章-离子注入.ppt

在掩膜边缘(即-a和+a处)的浓度是窗口中心处浓度的50％。而距离大于+a和小于-a各处的浓度按余误差下降。通过一狭窄掩膜窗口注入的离子，掩膜窗口的宽度为2a，原点选在窗口的中心，y和z方向如下图所示。(a)杂质B、P通过lμ宽掩膜窗口注入到硅靶中的等浓度曲线(b)杂质P以不同能量注入硅靶中的等浓度曲线横向效应与注入离子的种类和入射离子的能量有关硼、磷和砷入射到无定形硅靶中时，ΔRp和ΔR┴与入射能量的关系。4.2.3沟道效应沟道效应：当离子注入的方向与靶晶体的某个晶面平行时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道效应，使注入离子浓度的分布产生很长的拖尾。硅晶体的原子构型为了避免沟道效应，可使晶体的主轴方向偏离注入方向，使之呈现无定形状态，会发生大量碰撞。偏离的典型值为7°。硅晶体的原子构型4.2.4浅结的形成对于轻杂质，形成浅结非常困难。降低注入离子能量：注入离子能量几个keV但是在低能情况下，沟道效应变得非常明显。增大偏离角度。在低能注入时，离子束的稳定性是一个问题，由于空间电荷效应，离子束发散。解决办法是采用宽束流，降低束流密度。预先非晶化：注B前，先以重离子高剂量注入，使Si形成非晶表面层。使沟道效应减小。完全非晶化层在退火后结晶质量好。4.3注入损伤离子注入技术的最大优点，就是可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度。但是，在离子注入的过程中，衬底的晶体结构受到损伤是不可避免的。离子注入前后，衬底的晶体结构发生变化。①如果传递的能量小于移位阈能Ed，被碰原子只是在平衡位置振动，将获得的能量以振动能的形式传递给近邻原子，表现为宏观热能。②如果传递的能量大于Ed而小于2Ed，被碰原子成为移位原子，并留下一个空位。这个移位原子具有的能量小于Ed，不能使与它碰撞的原子移位。③如果靶原子获得的能量大于2Ed，被碰原子移位之后，还具有很高的能量，在运动过程中，可以使与它碰撞的原子发生移位。这种不断碰撞的现象称为“级联碰撞”。4.3.1级联碰撞注入离子与靶内原子碰撞，将能量传递给靶的过程称为能量淀积过程。级联碰撞的结果会使大量的靶原子移位，产生大量的空位和间隙原子，形成损伤。当级联碰撞密度不太大时，只产生孤立的、分开的点缺陷。如果级联碰撞的密度很高时，缺陷区就会互相重叠，加重损伤程度，甚至使注入区域的晶体结构完全受到破坏，变为非晶区。4.3.2简单晶格损伤如果注入的是轻离子，或者是小剂量的重离子，注入离子在靶中产生简单晶格损伤。如下图所示，对于轻离子，开始时能量损失主要由电子阻止引起，不产生移位原子。注入离子的能量随注入深度的增加而减小，当能量减小到小于交点Ec时，核阻止将起主导作用，几乎所有的晶格损伤都产生于Ec点以后的运动中。大多数情况下，每个注入离子只有一小部分能量对产生间隙-空位缺陷有贡献。对重离子来说，主要是通过核碰撞损失能量，产生的损伤较大。在基片上的一些局部区域，即使只受到小剂量重原子的轰击，也将遭受足够的损伤，甚至变为非晶态层。核阻止本领与电子阻止本领比较损伤区的分布*离子注入技术是用一定能量的杂质离子束轰击要掺杂的材料（称为靶，可以是晶体，也可以是非晶体），一部分杂质离子会进入靶内，实现掺杂的目的。离子注入是集成电路制造中常用的一种掺杂工艺，尤其是浅结，主要是靠离子注入技术实现掺杂。第四章离子注入1952年，美国贝尔实验室就开始研究用离子束轰击技术来改善半导体的特性。1954年前后，shockley提出来用离子注入技术能够制造半导体器件，并且预言采用这种方法可以制造薄基区的高频晶体管。1955年，英国的W.D.Cussins发现硼离子轰击锗晶片时，可在n型材料上形成p型层。1960年，对离子射程的计算和测量、辐射损伤效应以及沟道效应等方面的重要研究己基本完成，离子注入技术开始在半导体器件生产中得到广泛应用。1968年报道了采用离子注入技术制造的、具有突变型杂质分布的变容二极管以及铝栅自对准MOS晶体管。1972年以后对离子注入现象有了更深入的了解，目前离子注入技术已经成为甚大规模集成电路制造中最主要的掺杂工艺。离子注入的发展历史：离子注入技术的主要特点：(1)注入的离子是通过质量分析器选取出来的，被选取的离子纯度高，能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响。另外，注入过程是在清洁、干燥的真空条件下进行的，各种污染降到最低水